| 主权项 |
一种双扁平无引脚半导体封装，包含：一导线架，具有一晶粒接合垫以及与该晶粒接合垫共同形成之一汲极引脚、一闸极引脚与一源极引脚，其中该源极引脚包含一延伸的表面区域；一功率式金氧半场效电晶体晶粒，结合于该晶粒接合垫，并具有一晶粒源极接合区域与一晶粒闸极接合区域，该晶粒源极接合区域系连接于该源极引脚，该晶粒闸极接合区域系连接于该闸极引脚；及一填充胶，至少部分覆盖于该功率式金氧半场效电晶体晶粒、该汲极引脚、该闸极引脚与该源极引脚来形成该双扁平无引脚半导体封装，使得该源极引脚仅嵌于该填充胶之一底部表面，而不由该填充胶之一边缘表面外露。如申请专利范围第1项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该晶粒源极接合区域系藉由复数个源极连接线连接至该源极引脚。如申请专利范围第2项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该些源极连接线之材质系金。如申请专利范围第2项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该些源极连接线之材质系铜。如申请专利范围第1项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该导线架更包含一第二晶粒接合垫以及与该第二晶粒接合垫共同形成之一第二汲极引脚、一第二闸极引脚与一第二源极引脚，且该第二源极引脚包含一延伸的表面区域，其中该功率式金氧半场效电晶体晶粒接合垫系结合有一第二功率式金氧半场效电晶体晶粒，该第二功率式金氧半场效电晶体晶粒具有一第二晶粒源极接合区域与一第二晶粒闸极接合区域，该第二晶粒源极接合区域系连接于该第二源极引脚，该第二晶粒闸极接合区域系连接于该第二闸极引脚，其中该填充胶至少部分覆盖于该第二功率式金氧半场效电晶体晶粒、该第二汲极引脚、该第二闸极引脚与该第二源极引脚来形成该双扁平无引脚半导体封装。如申请专利范围第5项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该第二功率式金氧半场效电晶体晶粒系电性接合于该第一晶粒接合垫。如申请专利范围第1项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该汲极引脚、该闸极引脚与该源极引脚系和该填充胶之边缘隔着一段于该填充胶内部的距离来设置。如申请专利范围第1项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该汲极引脚、该闸极引脚与该源极引脚系邻近该填充胶之边缘设置。如申请专利范围第1项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该导线架系由金属镀制而成。如申请专利范围第1项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该导线架系包含四汲极引脚。如申请专利范围第1项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该导线架系包含六汲极引脚。一种双扁平无引脚半导体封装，包含：一导线架，具有一晶粒接合垫以及与该晶粒接合垫共同形成之一汲极引脚、一闸极引脚与一源极引脚，且该源极引脚具有一延伸区域；一功率式金氧半场效电晶体晶粒，结合于该晶粒接合垫，并具有一晶粒源极接合区域与一晶粒闸极接合区域，该晶粒源极接合区域系连接于该源极引脚，该晶粒闸极接合区域系连接于该闸极引脚，该晶粒接合垫与该汲极引脚系提供该晶粒一散热深度(thermal dissipation path)；及一填充胶，覆盖于该功率式金氧半场效电晶体晶粒、该汲极引脚、该闸极引脚与该源极引脚来形成该双扁平无引脚半导体封装，使得该源极引脚仅嵌于该填充胶之一底部表面，而不由该填充胶之一边缘表面外露。如申请专利范围第12项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该晶粒源极接合区域系藉由复数个源极连接线连接于该源极引脚。如申请专利范围第13项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该些源极连接线之材质系金。如申请专利范围第13项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该些源极连接线之材质系铜。如申请专利范围第12项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该汲极引脚、该闸极引脚与该源极引脚系和该填充胶之边缘隔着一段于该填充胶内部的距离来设置。如申请专利范围第12项所述之双扁平无引脚半导体封装，其中该汲极引脚、该闸极引脚与该源极引脚系邻近该填充胶之边缘设置。一种双扁平无引脚半导体封装之制作方法，其步骤包含：形成一导线架，该导线架具有一晶粒接合区域以及与该晶粒接合区域共同形成之一汲极引脚、一闸极引脚与一源极引脚，其中该源极引脚包含一延伸的表面区域；将一功率式金氧半场效电晶体晶粒结合于该晶粒接合区域；将该功率式金氧半场效电晶体晶粒之一晶粒源极接合区域连接至该源极引脚；将该功率式金氧半场效电晶体晶粒之一晶粒闸极接合区域连接至该闸极引脚；及对该功率式金氧半场效电晶体晶粒、该汲极引脚、该闸极引脚与该源极引脚进行封胶，来形成该双扁平无引脚半导体封装，使得该源极引脚仅嵌于该填充胶之一底部表面，而不由该填充胶之一边缘表面外露。如申请专利范围第18项所述之双扁平无引脚半导体封装之制作方法，其中该连接该晶粒源极接合区域至该源极引脚之步骤系包含使用复数个源极连接线。如申请专利范围第19项所述之双扁平无引脚半导体封装之制作方法，其中该些源极连接线之材质系金。如申请专利范围第项所述之双扁平无引脚半导体封装之制作方法，其中该些源极连接线之材质系铜。如申请专利范围第18项所述之双扁平无引脚半导体封装之制作方法，其中该对该功率式金氧半场效电晶体晶粒、该汲极引脚、该闸极引脚与该源极引脚进行封胶之步骤，系包含将该汲极引脚、该闸极引脚与该源极引脚和该填充胶之边缘隔着一段于该填充胶内部的距离来设置。 |
