| 主权项 |
一种发光二极体导线架，其包括：胶座，包括相对之上表面和下表面，及连接在上、下表面周围之四个侧壁，所述胶座自上表面向内凹陷形成功能区；及至少两个金属接脚，每一金属接脚部分埋设于胶座中，部分自胶座之一侧壁向外弯折延伸而出形成端部，所述端部向下弯折形成分别位于胶座下表面下方之底面焊接部，所述底面焊接部之相对两侧各设有一向上弯折位于胶座之另外相对两侧壁外侧之侧面焊接部。如申请专利范围第1项所述之发光二极体导线架，其中所述端部两侧延伸设有突出部，所述突出部与相邻之侧面焊接部之间形成可增加虹吸效应之缝隙。如申请专利范围第1项所述之发光二极体导线架，其中所述底面焊接部与侧面焊接部之间之弯折处形成圆弧型转角，该圆弧型转角之深度在0.1至0.3毫米之间，以增加爬锡效果。如申请专利范围第2项所述之发光二极体导线架，其中所述金属接脚于其与胶座结合处设置有穿孔，以增加金属接脚与胶座之结合强度。如申请专利范围第4项所述之发光二极体导线架，其中所述穿孔延伸至端部底部。一种发光二极体导线架，其包括：胶座，包括相对之上表面和下表面，及连接在上、下表面周围之四个外侧壁，所述胶座自上表面向内凹陷形成功能区；及至少两个金属接脚，每一金属接脚部分显露于功能区底部，且部分自胶座之功能区延伸至胶座外部藉三次弯折依次形成端部、底面焊接部及侧面焊接部，其中，所述每一金属接脚仅设有一个所述端部、一个所述底面焊接部及两个所述侧面焊接部。如申请专利范围第6项所述之发光二极体导线架，其中所述端部向两侧延伸设有突出部。如申请专利范围第7项所述之发光二极体导线架，其中所述侧面焊接部与突出部之间形成增加虹吸效应之缝隙。如申请专利范围第8项所述之发光二极体导线架，其中所述底面焊接部与侧面焊接部之间之弯折处形成可增加爬锡效果之圆弧型转角，该圆弧型转角之深度在0.1至0.3毫米之间。如申请专利范围第9项所述之发光二极体导线架，其中所述侧面焊接部与突出部相邻之侧边及圆弧型转角均被焊接。如申请专利范围第6项所述之发光二极体导线架，其中与胶座结合处之金属接脚上设有穿孔，该穿孔延伸至端部底部。如申请专利范围第6项所述之发光二极体导线架，其中所述胶座呈矩形，于胶座中心定义有一相对较长之长轴和一相对较短之短轴，所述长轴与短轴相互垂直。如申请专利范围第12项所述之发光二极体导线架，其中所述胶座包括设置在长轴延伸方向上之第一和第三侧壁及设置在短轴延伸方向上之第二和第四侧壁，每一金属接脚之所述端部设置第一或第三侧壁上，所述两侧面焊接部分别设置在第二及第四侧壁上。如申请专利范围第13项所述之发光二极体导线架，其中所述延伸于胶座外部之金属接脚沿胶座之长轴和短轴分别对称设置。如申请专利范围第12项所述之发光二极体导线架，其中所述底面焊接部沿胶座之短轴之延伸方向延伸设置。 |
