| 主权项 |
一种具有多层结构之太阳能电池的制备方法，该太阳能电池的制备方法包含：提供一阴极层；形成一电洞阻挡层(hole-blocking layer)于该阴极层上，其中，该电洞阻挡层系选自下列族群中之一种或多种者：无机半导体材料、金属氧化物、无机与金属氧化物材料之混合物；形成一多孔层于该电洞阻挡层上，该多孔层系作为电子受体(electron acceptor)；提供一溶液，该溶液包含至少一种有机分子；接触该溶液与该多孔层并进行一原位聚合反应，藉此形成一共轭性高分子填料于该多孔层之孔隙中，该共轭性高分子填料系作为电子予体，该多孔层与该共轭高分子填料合并作为该太阳能电池中的一光作用层；以及形成一阳极于该光作用层上。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之阴极层材料系选自下列族群中之一种或多种者：高分子、寡聚物、有机小分子、金属或金属氧化物。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之阴极层材料系为PSS：PEDOT、PEDOT、ITO(indium tin oxide)或FTO(fluorine-doped tin oxide)。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之阴极层系利用蒸镀、溅镀或涂布的方式形成。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之电洞阻挡层材料系选自下列族群中之一种或多种者：二/六族、三/五族、四/四族半导体。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之电洞阻挡层材料包含下列族群中之一种或多种者：TiO2、CdS、CdSe、GaAs、GaP、ZnO、Fe2O3、SnO2、SiC、InN、InGaN、GaN、PbS、Bi2S3、Cu-In-Ga-Se、Cu-In-Ga-S。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之电洞阻挡层系以选自下列族群中之一种或多种方法形成者：溶胶-凝胶法、电沉积法、化学气相沉积法、物理气相沉积法、自组装制膜法、喷雾热分解法、涂布法、蒸镀或溅镀等。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之多孔层材料系为无机半导体、金属氧化物或无机与金属氧化物材料之混合物。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之多孔层材料系为包含下列族群中之一种或多种者：TiO2、CdS、CdSe、GaAs、GaP、ZnO、Fe2O3、SnO2、SiC、InN、InGaN、GaN、PbS、Bi2S3、Cu-In-Ga-Se、Cu-In-Ga-S。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之多孔层系以选自下列族群中之一种或多种方法形成者：溶胶-凝胶法、电沉积法、化学气相沉积法、物理气相沉积法、自组装制膜法、喷雾热分解法、涂布法、蒸镀或溅镀等。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之原位聚合反应系指在多孔性主体存在下，进行电化学聚合反应、氧化聚合反应、偶合聚合法、自由基聚合反应、离子聚合反应、开环聚合反应或缩合聚合反应。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之原位聚合反应系指在多孔性主体存在下进行电化学聚合反应、氧化聚合反应或偶合聚合反应。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之共轭性高分子填料系为含有共轭性结构之聚合物、寡聚物、大分子或共聚合物。如申请专利范围第1项中之具有多层结构之太阳能电池的制备方法，其中上述之共轭性高分子填料系包括下列族群中之一种或多种者：聚苯胺(polyanilines)及其衍生物、聚咯吡(polypyrroles)及其衍生物、聚噻吩(polythiophenes)及其衍生物、聚对苯乙炔(poly(p-phenylene vinylene))及其衍生物、含有苯胺、咯吡、噻吩、对苯乙炔或他们的衍生物结构之聚合物、寡聚物或共聚合物等。 |
