| 主权项 |
一种动态随机存取记忆体单元结构，包含：一基材；一闸极沟渠，位于该基材中；一闸极结构，其嵌入该闸极沟渠中；一源极掺杂区，设于该基材中，并与该闸极沟渠之一侧相邻；一汲极掺杂区，设于该基材中，并与该闸极沟渠之另一侧相邻；一沟渠电容，与该汲极掺杂区相邻，该沟渠电容包含一导电层与一电容侧壁；一闸极通道，介于该汲极掺杂区与该源极掺杂区之间；以及一表面导电带，设于该基材表面用来覆盖该沟渠电容之该导电层之顶部、电性连接该汲极掺杂区与专门电性连接该沟渠电容之该导电层之顶部，其中该闸极结构之顶面高于该表面导电带之顶面。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，进一步包含介于该闸极沟渠与该基材间之一闸极介电层。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该基材为一半导体基材。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该闸极结构位于该闸极沟渠上方。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该闸极结构包含一帽盖层、一第一导电层与一第二导电层。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该闸极结构包含一闸极侧壁。如请求项6之动态随机存取记忆体单元结构，其中该闸极侧壁与该表面导电带相连。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，进一步包含与该源极掺杂区电连接之一位元线接触垫。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该导电层包含一多晶矽。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，进一步包含覆盖该闸极结构、该源极掺杂区、该表面导电带并填满该凹口之一介电层，且该电容侧壁接触该表面导电带与该介电层。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该闸极沟渠之深度介于500-1500间。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该表面导电带具有介于3个原子至500之厚度。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该表面导电带包含一金属。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该闸极沟渠具有一U型底部。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该表面导电带包含一金属矽化物。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该表面导电带包含一非金属。如请求项16之动态随机存取记忆体单元结构，其中该非金属系多晶矽。如请求项16之动态随机存取记忆体单元结构，其中该非金属系石墨。如请求项1之动态随机存取记忆体单元结构，其中该闸极沟渠具有一颈部绝缘层。 |
