| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，其特征为，具备有：在具有复数之元件区域的半导体晶圆之背面，依序层积厚度超过25μm之接着剂层与切割胶带的工程，其中，前述接着剂层系具备有100MPa以上3000MPa以下之范围的硬化前常温弹性率；和使用切入深度到达前述接着剂层之第1刀刃，并因应于前述复数之元件区域而将前述半导体晶圆与前述具备有100MPa以上3000MPa以下之范围的常温弹性率之接着剂层之一部分共同切断的第1切断工程；和使用切入深度到达前述切割胶带，同时宽幅系为较前述第1刀刃为更狭小的第2刀刃，并将前述具备有100MPa以上3000MPa以下之范围的常温弹性率之接着剂层与前述切割胶带之一部分共同切断的第2切断工程；和将藉由前述第1以及第2切断工程而与前述接着剂层一同地将前述半导体晶圆切断并个片化之半导体元件，从前述切割胶带拾起之工程；和将前述所拾起之半导体元件经由被形成于其背面之前述接着剂层而接着于装置构成基材上之工程。如申请专利范围第1项所记载之半导体装置之制造方法，其中，系以使前述接着剂层于硬化前之切断时的弹性率成为100MPa以上3000MPa以下之范围的方式，将前述接着剂层在切断时作冷却。如申请专利范围第1项所记载之半导体装置之制造方法，其中，前述接着剂层之厚度系为50μm以上150μm以下之范围。如申请专利范围第1项所记载之半导体装置之制造方法，其中，将前述第1刀刃所致之前述接着剂层的未切断层之厚度设为20μm以下之范围。如申请专利范围第1项所记载之半导体装置之制造方法，其中，前述装置构成基材系为电路基材又或是其他之半导体元件。如申请专利范围第1项所记载之半导体装置之制造方法，其中，系更进而具备有：在电路基材上，作为前述装置构成基材，而接着第1半导体元件之工程；和将前述电路基材之连接部与前述第1半导体元件之电极部，经由第1焊接导线而电性连接之工程；和在前述第1半导体元件上，作为第2半导体元件而将前述半导体元件经由前述接着剂层而接着之工程。如申请专利范围第6项所记载之半导体装置之制造方法，其中，将前述第1焊接导线之与前述第1半导体元件的连接侧端部，埋入至前述接着剂层内。如申请专利范围第7项所记载之半导体装置之制造方法，其中，前述接着剂层系具备有在前述第2半导体元件之接着时温度下软化又或是溶融之绝缘树脂层，而将前述第1焊接导线根据前述接着剂层之厚度，使其从前述第2半导体元件的下面相离开。如申请专利范围第7项所记载之半导体装置之制造方法，其中，前述接着剂层，系具备有：被配置于前述第1半导体元件侧，而在前述第2半导体元件之接着时温度下软化又或是溶融之第1绝缘树脂层；和被配置于前述第2半导体元件侧，而在前述第2半导体元件之接着时温度下维持为层形状之第2绝缘树脂层，将前述第1焊接导线之前述端部，埋入至前述第1绝缘树脂层内。一种半导体装置之制造方法，其特征为，具备有：在具有复数之元件区域的半导体晶圆之背面，依序层积厚度超过25μm之接着剂层与切割胶带的工程，其中，前述接着剂层系具备有100MPa以上3000MPa以下之范围的硬化前常温弹性率；和使用切入深度系成为前述半导体晶圆内之第1刀刃，并因应于前述复数之元件区域而将前述半导体晶圆之一部分切断的第1切断工程；和使用切入深度到达前述接着剂层，同时宽幅系为较前述第1刀刃为更狭小的第2刀刃，并将前述半导体晶圆与前述具备有100MPa以上3000MPa以下之范围的常温弹性率之接着剂层之一部分共同切断的第2切断工程；和使用切入深度到达前述切割胶带，同时宽幅系为较前述第2刀刃为更狭小的第3刀刃，并将前述具备有100MPa以上3000MPa以下之范围的常温弹性率之接着剂层与前述切割胶带之一部分共同切断的第3切断工程；和将藉由前述第1、第2以及第3切断工程而与前述接着剂层一同地将前述半导体晶圆切断而个片化之半导体元件，从前述切割胶带拾起之工程；和将前述所拾起之半导体元件经由被形成于其背面之前述接着剂层而接着于装置构成基材上之工程。如申请专利范围第10项所记载之半导体装置之制造方法，其中，前述接着剂层之厚度系为50μm以上150μm以下之范围。如申请专利范围第10项所记载之半导体装置之制造方法，其中，将前述第1刀刃所致之前述半导体晶圆的未切断部之厚度设为10μm以下之范围。如申请专利范围第10项所记载之半导体装置之制造方法，其中，将前述第2刀刃所致之前述接着剂层的未切断层之厚度设为20μm以下之范围。如申请专利范围第10项所记载之半导体装置之制造方法，其中，前述装置构成基材系为电路基材又或是其他之半导体元件。如申请专利范围第10项所记载之半导体装置之制造方法，其中，系更进而具备有：在电路基材上，作为前述装置构成基材，而接着第1半导体元件之工程；和将前述电路基材之连接部与前述第1半导体元件之电极部，经由第1焊接导线而电性连接之工程；和在前述第1半导体元件上，作为第2半导体元件而将前述半导体元件经由前述接着剂层而接着之工程。如申请专利范围第15项所记载之半导体装置之制造方法，其中，将前述第1焊接导线之与前述第1半导体元件的连接侧端部，埋入至前述接着剂层内。如申请专利范围第16项所记载之半导体装置之制造方法，其中，前述接着剂层系具备有在前述第2半导体元件之接着时温度下软化又或是溶融之绝缘树脂层，而将前述第1焊接导线根据前述接着剂层之厚度，使其从前述第2半导体元件的下面相离开。如申请专利范围第16项所记载之半导体装置之制造方法，其中，前述接着剂层，系具备有：被配置于前述第1半导体元件侧，而在前述第2半导体元件之接着时温度下软化又或是溶融之第1绝缘树脂层；和被配置于前述第2半导体元件侧，而在前述第2半导体元件之接着时温度下维持为层形状之第2绝缘树脂层，将前述第1焊接导线之前述端部，埋入至前述第1绝缘树脂层内。 |
