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一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其特征系，于基板上顺序层合由氮化镓系化合物之半导体所构成之n型半导体层、发光层以及p型半导体层，而其正极及负极系分别接续于p型半导体层及n型半导体层所设置而得之发光元件中，正极系具有开口部位之正极，而该开口部位中之p型半导体层表面的至少一部份，其先端部分系为半球状的凹凸面。一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其特征系，于基板上顺序层合由氮化镓系化合物之半导体所构成之n型半导体层、发光层以及p型半导体层，而其正极及负极系分别接续于p型半导体层及n型半导体层所设置而得之发光元件中，正极系具有开口部位之正极，而该开口部位中之p型半导体层表面的至少一部份，其先端部分系为由曲面所构成的凹凸面。如申请专利范围第1~2项中任一项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，该具开口部位之正极为格子状或树栅状。如申请专利第3项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，该格子之栈宽或树栅的栅幅为1μ~50μ。如申请专利第3项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，该格子之栈或树栅之栅间隔为1μ~50μ。如申请专利范围第1~2项中任一项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，该凹凸面中之凸部位(粒状物)的直径为0.01~3μm。如申请专利范围第1~2项中任一项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，该凹凸面中之上端部位的高度系自负极形成面算起之0.1~2μm。如申请专利范围第7项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，该凹凸面中之上端部位的高度系等同于p型半导体层表面之高度。如申请专利范围第1~2项中任一项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，该凹凸面中之凸部位的高度为0.01~1μm。如申请专利范围第1~2项中任一项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，该凹凸面中之凸部位(粒状物)的密度为1×105个/mm2~1×108个/mm2。如申请专利范围第1~2项中任一项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，该凹凸面亦存在于发光元件的四周。如申请专利范围第1~2项中任一项之氮化镓系化合物半导体发光元件，其中，该凹凸面亦存在于正极与负极之间。一种氮化镓系化合物半导体发光元件之制造方法，其特征系具有下列(1)~(4)之步骤；(1)于基板上顺序层合由氮化镓系化合物之半导体所构成之n型半导体层、发光层以及p型半导体层的步骤、(2)于该p型半导体层上形成具有开口部位之正极的步骤、(3)于开口部位之p型半导体层上形成金属薄膜，且其后以热处理形成由金属微粒子所构成之光罩的步骤、(4)由该光罩上乾蚀刻氮化镓系化合物半导体的步骤。如申请专利范围第13项之制造方法，其中，该金属微粒子系选自Ni、Au、Sn以及Ge所成群之金属，或是至少含有一种此等金属之低熔点合金。一种藉由如申请专利范围第13项之制造方法所制造的氮化镓系化合物半导体发光元件。一种由如申请专利范围第1~2及15项中任一项之氮化镓系化合物半导体发光元件所构成的照灯。一种组装有如申请专利范围第16项之照灯的电子机器。一种组装有如申请专利范围第17项之电子机器的机械装置。 |
