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一种动态随机存取记忆体的制作方法，包括：于一基底中形成一深沟渠；于该深沟渠之底部的该基底中形成一下电极；于该深沟渠之底部依序形成一电容介电层与一第一导电层；于被该电容介电层所暴露之该深沟渠之侧壁上形成一领氧化层；于该深沟渠中填入一第二导电层；在填入该第二导电层之后，于该基底中形成一浅沟渠隔离结构；在形成该浅沟渠隔离结构之后，移除部分该第二导电层；在移除部分该第二导电层之后，于该第二导电层上形成一氮化钛层；移除部分该领氧化层；于该深沟渠中形成一埋入带；于该深沟渠中填入一介电层；以及于该基底上形成一主动元件。如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的制作方法，其中该下电极的形成方法包括：于该深沟渠之侧壁形成一掺杂氧化层；以及进行一热制程。如申请专利范围第2项所述之动态随机存取记忆体的制作方法，其中该掺杂氧化层中的掺杂离子包括砷离子。如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的制作方法，其中该领氧化层的形成方法包括：于该深沟渠侧壁、该第一导电层顶面、该电容介电层顶面、及该基底表面形成一领氧化材料层；以及移除位于该第一导电层顶面及该基底表面之该领氧化材料层。如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的制作方法，其中该埋入带的形成方法包括：于该氮化钛层上形成一第三导电层；依序于该基底上顺应性地形成一衬层与一非晶矽层；进行一单边倾斜离子植入制程；移除未被植入离子的该非晶矽层；以及移除未被剩余的该非晶矽层覆盖的该衬层与该第三导电层。如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体的制作方法，其中该单边倾斜离子植入制程所植入的离子包括氟化硼离子。如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体的制作方法，其中移除未被植入离子的该非晶矽层的方法包括氢氧化铵湿式蚀刻制程。如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的制作方法，其中该浅沟渠隔离结构的形成方法包括：于该基底中形成一浅沟渠；进行一氧化步骤；以及于该浅沟渠中填入一绝缘材料。如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的制作方法，更可以在移除部分该领氧化层之后以及在形成该埋入带之前，于该氮化钛层上形成一界面层。 |
