| 主权项 |
一种微型悬浮结构，系于一矽基底上表面形成至少一内具微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含彼此独立的至少一微结构与金属电路，该微机电结构于绝缘层表面具有外露部份，其相对应微机电结构预期蚀刻空间设有通孔，前述蚀刻空间仅通过绝缘层，另于绝缘层表面制作具有一开口之光阻，该光阻开口位于该外露部份的通孔外侧。如申请专利范围第1项所述之微型悬浮结构，其中，该光阻的开口外罩盖一保护盖。一种微型悬浮结构制造方法，包括下述步骤：于矽基底上表面形成内具微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含彼此独立的至少一微结构与数个金属电路，该微机电结构于绝缘层表面具有外露部份，其相对应微机电结构之间预期蚀刻空间设有通孔，前述预期蚀刻空间仅通过该绝缘层，而未接触该微机电结构；接着在绝缘层上制作具有开口之光阻，该开口位于该外露部份的通孔外侧；依序从该外露部份的通孔向下进行蚀刻，而蚀刻空间仅通过绝缘层，该微机电结构的微结构受到绝缘层包裹；以及蚀刻达成该微机电结构的微结构悬浮。如申请专利范围第3项所述之微型悬浮结构制造方法，其中，另包含以下步骤：于矽基底下表面制作具开口的阻绝层，该开口相对应该微机电结构的微结构；接着从阻绝层之开口进行深反应离子蚀刻(DRIE)，并且快速蚀刻矽基底形成空间；以及去除阻绝层。如申请专利范围第3项所述之微型悬浮结构制造方法，其中，另包含以下步骤：利用蚀刻将该光阻的开口内外露之外露部份去除。如申请专利范围第5项所述之微型悬浮结构制造方法，其向下进行蚀刻步骤另包含：从蚀刻空间朝向矽基底的空间进行深反应离子蚀刻(DRIE)，并且形成贯通空间，各空间彼此衔接而令微机电结构的微结构悬浮。如申请专利范围第3项所述之微型悬浮结构制造方法，其向下进行蚀刻步骤另包含去除光阻的步骤。一种微型悬浮结构，系于一矽基底上表面形成至少一内具微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含彼此独立的至少一微结构与金属电路，该微机电结构于绝缘层表面具有外露部份，其相对应微机电结构预期蚀刻空间设有相导通的金属插销堆叠层，前述金属插销堆叠层仅通过绝缘层且到达矽基底，另于外露部份上表面制作具有一开口之光阻，该开口位于该外露部份的金属插销堆叠层外侧。如申请专利范围第8项所述之微型悬浮结构，其中，该光阻的开口外罩盖一保护盖。一种微型悬浮结构制造方法，包括下述步骤：于一矽基底上表面形成内具微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含独立的至少一微结构，该微机电结构于绝缘层表面具有外露部份，其下方相对应预期蚀刻空间设有相导通的金属插销堆叠层，该金属插销堆叠层到达矽基底上表面，且前述金属插销堆叠层仅通过该绝缘层，而未接触该微机电结构；接着在绝缘层上表面制作具有一开口之光阻，该开口位于该外露部份的所有金属插销堆叠层外侧；经过蚀刻将该外露部份及所有插销堆叠层去除形成仅通过绝缘层的蚀刻空间；以及由蚀刻空间向下蚀刻而令微机电结构的微结构悬浮。如申请专利范围第10项所述之微型悬浮结构制造方法，其中，另包含以下步骤：于矽基底下表面制作具开口的阻绝层，该开口相对应该微机电结构的微结构；接着从阻绝层之开口进行深反应离子蚀刻(DRIE)，并且快速蚀刻矽基底形成空间；以及去除阻绝层。如申请专利范围第10项所述之微型悬浮结构制造方法，其向下进行蚀刻步骤另包含去除该光阻的步骤。如申请专利范围第10项所述之微型悬浮结构制造方法，其向下进行蚀刻步骤另包含：从蚀刻空间朝向矽基底的空间进行深反应离子蚀刻(DRIE)，并且形成贯通空间，各空间彼此衔接而令微机电结构的微结构悬浮。一种微型悬浮结构，于一矽基底上表面形成内具微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含独立的至少一微结构，该微机电结构于具有外露部份及内藏部份，其相对应微机电结构预期蚀刻空间设有通孔，内藏部份所在位置较低，该内藏部份位于通孔预期蚀刻空间内，且预期蚀刻空间仅通过该绝缘层，另于外露部份上表面制作具有一开口之光阻，该开口位于该外露部份的通孔外侧。如申请专利范围第14项所述之微型悬浮结构，其中，该光阻的开口外罩盖一保护盖。一种微型悬浮结构制造方法，包括下述步骤：于一矽基底上表面形成内具微机电结构的绝缘层，该微机电结构包含彼此独立的至少一微结构与数个金属电路，该微机电结构于具有外露部份及内藏部份，其相对应微机电结构之间预期蚀刻空间设有通孔，该内藏部份所在位置较低，该内藏部份位于通孔预期蚀刻空间内，且预期蚀刻空间仅通过该绝缘层，而未接触该微机电结构；在绝缘层及外露部份上表面制作具有一开口之光阻，该开口位于该外露部份的所有通孔外侧；接着依序从该外露部份的通孔向下进行蚀刻，在绝缘层内会形成蚀刻空间，由于内藏部份所在位置较低，且其位于通孔预期蚀刻空间内，故内藏部份上方会蚀刻形成一沈陷空间，该蚀刻空间及沈陷空间仅通过绝缘层，而蚀刻空间及沈陷空间不会接触微机电结构；将该光阻的开口内外露之外露部份及内藏部份去除；以及朝向矽基底蚀刻出预设的空间，并且令该微机电结构的微结构悬浮。如申请专利范围第16项所述之微型悬浮结构制造方法，其中另包含以下步骤：于矽基底下表面形成空间；接着从该外露部份的通孔向下进行离子乾蚀刻(RIE)；利用蚀刻去除该外露部份及内藏部份；以及从蚀刻空间朝向矽基底的空间进行深反应离子蚀刻(DRIE)。如申请专利范围第16项所述之微型悬浮结构制造方法，其中另包含以下步骤：于矽基底下表面制作具开口的阻绝层，该开口相对应该微机电结构的微结构；接着从阻绝层之开口进行深反应离子蚀刻(DRIE)，并且快速蚀刻矽基底形成空间；以及去除阻绝层。如申请专利范围第16项所述之微型悬浮结构制造方法，其中另包含在光阻的开口外罩盖保护盖的步骤。 |
