| 主权项 |
一种用以侦测一电荷状态之方法，包括形成一测试结构于一矽基板之上，该测试结构系包括：一基板；一形成于该基板中之扩散区域；一位于该基板与该扩散区域之上之闸极；以及一位于该闸极与该基板及该扩散区域之间之电荷捕捉层，该电荷捕捉层系组态为以累积在半导体制程步骤中所分离之电荷；进行一半导体制程步骤；以及在该半导体制程步骤之前与之后测量该测试结构之一电荷泵电流。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该扩散区域与该闸极系经金属化。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该测试结构包括至少一扩散区域。如申请专利范围第1项所述之方法，更包括一隔离区域。如申请专利范围第1项所述之方法，更于该闸极之侧壁上包括一侧壁绝缘层。如申请专利范围第3项所述之方法，其中该测试结构系包括一汲极扩散区域以及一源极扩散区域，且该电荷泵电流系藉由施加偏压至该汲极扩散区域、该源极扩散区域、该基板、以及该闸极而产生。如申请专利范围第6项所述之方法，其中所施加至该汲极扩散区域、该源极扩散区域、与该基板之偏压系为0伏特。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该偏压系施加至该闸极结构。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该电荷捕捉层系包括夹置于一顶氧化物层与一底氧化物层之间的一氮化物层。如申请专利范围第9项所述之方法，其中当所施加至该闸极之偏压脉冲系大于一反转位阶时，该电荷系被捕捉至介于该基板与该底氧化物层之间的介面层。如申请专利范围第9项所述之方法，其中当所施加至该闸极之偏压脉冲系低于一反转位阶时，电荷系从介于该基板与底氧化物层之间的介面层释放。如申请专利范围第1项所述之方法，更包括在该制程步骤之后，测量该电荷泵电流相对于该制程步骤之前之一偏移。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该电荷状态系根据该电荷泵电流之偏移而决定。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该电荷捕捉层系可为一氮化物层、氧化铝层、氧化铪层、其他金属氧化物等电荷储存材料。一种用以监控一半导体制程步骤之测试结构，包括：一基板；一形成于该基板中之扩散区域；一位于该基板与该扩散区域之上的闸极；以及一介于该闸极与该基板及该扩散区域之间的电荷捕捉层，该电荷捕捉层之组态系用以累积在半导体制程步骤中所分离之电荷。如申请专利范围第15项所述之测试结构，其中该扩散区域以及该闸极系经金属化。如申请专利范围第15项所述之测试结构，其中该测试结构包括至少一扩散区域。如申请专利范围第15项所述之测试结构，更包括一隔离区域。如申请专利范围第15项所述之测试结构，更于该闸极之侧壁上包括一侧壁绝缘层。如申请专利范围第15项所述之测试结构，其中该电荷捕捉层系可为一氮化物层、氧化铝层、氧化铪层、其他金属氧化物等电荷储存材料。如申请专利范围第15项所述之测试结构，其中该电荷捕捉层包括夹置于二氧化物层之间的一氮化物层。 |
