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一种单结晶钻石成长用基材之制造方法，至少对于钻石成长前之基材预先进行偏压处理，以基材侧电极作为阴极进行直流放电而形成钻石核，其特征在于：该偏压处理前之钻石成长用基材系使用单结晶铱(Ir)或在单结晶MgO基材上异质磊晶成长的Ir膜，该偏压处理中，电流密度为120~230mA/cm2，处理时间为45秒~180秒，并至少将由偏压处理开始40秒后至偏压处理结束为止之基材温度，保持于800℃±60℃。如申请专利范围第1项之单结晶钻石成长用基材之制造方法，其中，该偏压处理中之环境气体为氢稀释甲烷，令其浓度为CH4/(CH4+H2)=0.5~5.0容积%。如申请专利范围第1项之单结晶钻石成长用基材之制造方法，其中，该偏压处理中之环境气体为含碳及氢原子之混合气体，且压力为105~150Torr。一种叠层基板之制造方法，其特征在于：对于经过申请专利范围第1至3项中任一项之偏压处理的基材，藉由微波CVD法或直流电浆CVD法，使其在基板温度700℃~1400℃之条件下成长，以制造含有单结晶钻石之叠层基板。一种叠层基板，包含以申请专利范围第4项之方法所制造的单结晶钻石。一种独立单结晶钻石基板，其特征在于：从依申请专利范围第4项之方法所制造之叠层基板，仅取出钻石。 |
