| 主权项 |
一种周期性区域反转结构的制造方法，包括：提供一基板，该基板是非线性光学铁电晶体；于该基板的上表面及下表面形成一光阻层；以二雷射光干涉所形成的多条周期性干涉条纹对该基板上表面的该光阻层进行曝光，且该二雷射光会穿透该基板，以利用该些周期性干涉条纹对该基板下表面的该光阻层进行曝光；进行一显影制程，以于该基板的上表面及下表面形成一周期性的光阻图案；于该基板上形成一导体层，覆盖该光阻图案及暴露的该基板表面；以剥离法移除该光阻图案及该光阻图案上的部分该导体层；以及经由残留的该导体层对该基板施加电压，以极化部分该基板。如申请专利范围第1项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中于进行曝光时，该基板进行平移或旋转。如申请专利范围第2项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该基板的旋转角度大于0度且小于180度。如申请专利范围第1项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该光阻图案的形状包括周期性的条状、网状或岛状。如申请专利范围第1项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该雷射光的波长是190奈米至600奈米。如申请专利范围第1项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该二雷射光的夹角大于0度且小于180度。如申请专利范围第1项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该光阻图案的周期是0.2微米至50微米。如申请专利范围第1项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中周期性的该光阻图案的间距是0.1微米至25微米。如申请专利范围第1项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该导体层的形成方法包括物理气相沈积法或化学气相沈积法。一种周期性区域反转结构的制造方法，包括：提供一基板，该基板是非线性光学铁电晶体；于该基板的上表面及下表面形成一光阻层；以二雷射光干涉所形成的多条周期性干涉条纹对该基板上表面的该光阻层进行曝光，且该二雷射光会穿透该基板，以利用该些周期性干涉条纹对该基板下表面的该光阻层进行曝光；进行一显影制程，以于该基板的上表面及下表面形成一周期性的光阻图案；于该基板上形成一介电层，覆盖该光阻图案及暴露的该基板表面；以剥离法移除该光阻图案及该光阻图案上的部分该介电层；于该基板的上表面及下表面形成一导体层，覆盖残留的该介电层及暴露的该基板表面；以及经由该导体层对该基板施加电压，以极化部分该基板。如申请专利范围第10项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中于进行曝光时，该基板进行平移或旋转。如申请专利范围第11项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该基板的旋转角度大于0度且小于180度。如申请专利范围第10项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该光阻图案的形状包括周期性的条状、网状或岛状。如申请专利范围第10项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该雷射光的波长是190奈米至600奈米。如申请专利范围第10项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该二雷射光的夹角大于0度且小于180度。如申请专利范围第10项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该光阻图案的周期是0.2微米至50微米。如申请专利范围第10项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中周期性的该光阻图案的间距是0.1微米至25微米。如申请专利范围第10项所述之周期性区域反转结构的制造方法，其中该导体层的形成方法包括物理气相沈积法或化学气相沈积法。 |
