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一种光导波路，系于基材上形成芯部及包层部而成，包层部之折射率低于芯部折射率之光导波路，其特征为：该包层部系由具硷显像性之活性能量线硬化性及热硬化性焊阻组成物构成。一种光导波路，系于表面有焊接用导体之基材上形成芯部及包层部而成，包层部之折射率低于芯部折射率之光导波路，其特征为：该包层部系由具硷显像性之活性能量线硬化性及热硬化性焊阻组成物构成。如申请专利范围第1或2项之光导波路，其中包层部之折射率较之芯部折射率，以棱镜耦合器测定之值低0.5以上。如申请专利范围第1或2项之光导波路，其中上述焊阻组成物含有，含羧基之化合物、含(甲基)丙烯醯基之化合物、含环状(硫)醚基之化合物以及光聚合启始剂。一种光电混装基板，系于表面具备有焊阻层及焊接用导体之印刷电路板上形成芯部及包层部而成的包层部之折射率低于芯部折射率之光导波路之光电混装基板，其特征为：上述焊阻层之至少一部份构成具有芯部及包层部之光导波路的包层部，该焊阻层系由具硷显像之活性能量线硬化性及热硬化性焊阻组成物所成。如申请专利范围第5项之光电混装基板，其中包层部之折射率较之芯部折射率，以棱镜耦合器测定之值低0.5以上。如申请专利范围第5或6项之光电混装基板，其中上述焊阻组成物含有，含羧基之化合物、含(甲基)丙烯醯基之化合物、含环状(硫)醚基之化合物以及光聚合启始剂。一种光电混装基板之制造方法，系于表面具备有焊阻层及焊接用导体之印刷电路板上形成芯部及包层部而成的光导波路之光电混装基板之制造方法，其特征为：具有使用活性能量线硬化性及热硬化性之焊阻组成物，同时形成上述焊阻层及包层部之过程。一种制造方法，其系如申请专利范围第8项之制造方法，其特征为包层部具备下层、中层及上层包层，于中层包层之特定部位形成芯部埋入用之槽部，将芯部埋入该槽部后，设上层包层部形成光导波路。一种制造方法，其系如申请专利范围第8项之制造方法，其特征为包层部具备下层、中层及上层包层，将芯部配置于下层包层部表面之特定部位后，设中层及上层包层部形成光导波路。 |
