| 主权项 |
一种非挥发性记忆体，形成于一基板上，包含有：一下电极，包含有一金属层，设于该基板上；一缓冲层，具有一镍酸镧薄膜，设于该金属层上；一电阻层，具有一锆酸锶薄膜，设于该缓冲层上；以及一上电极，设于该电阻层上，其中，一预定区域的该镍酸镧薄膜并没有被该电阻层所覆盖，且该非挥发性记忆体另包含有一金属连接物，形成于该预定区域中，与该镍酸镧薄膜相接触。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体，其中该金属层具有一铂(Platinum，Pt)薄膜。如申请专利范围第2项之非挥发性记忆体，另包含有一绝缘层，设于该基板上，且位于该下电极之下。如申请专利范围第3项之非挥发性记忆体，其中，该下电极另包含有一钛(Titanium，Ti)薄膜，位于该铂薄膜与该绝缘层之间。如申请专利范围第4项之非挥发性记忆体，其中，该钛薄膜之厚度约为1至100奈米。如申请专利范围第2项之非挥发性记忆体，其中，该铂薄膜之厚度约为10至500奈米。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体，其中，该镍酸镧薄膜之晶体排列方向为(100)，其厚度大抵为20至500奈米。如申请专利范围第1项之非挥发性记忆体，其中，该金属连接物与该上电极使用相同的材料。一种一基板上之一非挥发性记忆体的制作方法，包含有：形成一金属层，于该基板上，作为该非挥发性记忆体之一下电极；形成一缓冲层，具有一镍酸镧薄膜，设于该金属层上；形成一电阻层，具有一锆酸锶薄膜，设于该缓冲层上；以及形成一上电极，设于该电阻层上，其中，于形成该电阻层时，一预定区域的该镍酸镧薄膜上没有该电阻层，且形成该上电极时，系同时于该预定区域中形成一金属连接物，与该镍酸镧薄膜相接触。如申请专利范围第9项之制作方法，其中，该金属层系用蒸镀法而形成。如申请专利范围第9项之制作方法，其中，该金属层具有一铂(Platinum，Pt)薄膜。如申请专利范围第11项之制作方法，其中，形成该金属层的方法包含有：于该基板上之一绝缘层上，形成一钛薄膜；以及于该钛薄膜上，形成该铂薄膜。如申请专利范围第12项之制作方法，其中，该钛薄膜系以电子枪真空蒸镀而形成。如申请专利范围第11项之制作方法，其中，该铂薄膜系以电子枪真空蒸镀而形成。如申请专利范围第11项之制作方法，其中，该镍酸镧薄膜系以交流磁控溅镀法而形成。如申请专利范围第11项之制作方法，其中，该锆酸锶薄膜系以交流磁控溅镀法而形成。 |
