| 主权项 |
一种改善介电材料填充能力之方法，包含下列步骤：在一基板上形成复数个元件，各该复数个元件间形成复数个间隔；以一第一流量沉积一含掺杂质介电材料，形成一第一介电层覆盖于该基板、该复数个元件及该复数个间隔；以及以一第二流量沉积该含掺杂质介电材料，形成一第二介电层覆盖于该第一介电层，其中该第一流量约大于或等于该第二流量之1.3倍。如请求项1所述之一种改善介电材料填充能力之方法，其中该第一介电层之掺杂质浓度高于该第二介电层。如请求项1所述之一种改善介电材料填充能力之方法，其中该第一介电层及该第二介电层为硼磷矽玻璃(BPSG)。如请求项1所述之一种改善介电材料填充能力之方法，其中该掺杂质包含硼与磷。如请求项1所述之一种改善介电材料填充能力之方法，其中该第一流量转变为该第二流量系以一机械(hardware)方式控制。如请求项1所述之一种改善介电材料填充能力之方法，其中形成该第一介电层之时间不超过15秒。如请求项1所述之一种改善介电材料填充能力之方法，其中该第一介电层之厚度小于20 。一种改善硼磷矽玻璃填充能力之方法，包含下列步骤：在一基板上形成复数个元件，各该复数个元件间形成复数个间隔；以一第一流量沉积一硼磷矽玻璃，形成一第一硼磷矽玻璃层覆盖于该基板、该复数个元件及该复数个间隔；以及以一第二流量沉积该硼磷矽玻璃，形成一第二硼磷矽玻璃层；其中该第一流量至少为该第二流量之130%。如请求项8所述之一种改善硼磷矽玻璃填充能力之方法，其中该第一介电层之掺杂质浓度高于该第二介电层。如请求项8所述之一种改善硼磷矽玻璃填充能力之方法，其中系以一机械方式转变该第一流量为该第二流量。如请求项8所述之一种改善硼磷矽玻璃填充能力之方法，其中形成该第一硼磷矽玻璃层之时间不超过15秒。如请求项8所述之一种改善硼磷矽玻璃填充能力之方法，其中形成该第一硼磷矽玻璃层之时间为3-5秒。如请求项8所述之一种改善硼磷矽玻璃填充能力之方法，其中该第一硼磷矽玻璃层之厚度小于约20 。 |
