| 主权项 |
一种整合型被动元件基板的制造方法，至少包含：提供至少一线路层；形成至少一定位盲孔于该至少一线路层中；设置一导电材料于该定位盲孔中；定位一被动元件于该线路层的该定位盲孔处，并藉由该定位盲孔中的该导电材料来电性连接该被动元件和该线路层；以及压合一核心层、该被动元件及该线路层成一基板，其中该被动元件系埋设于该核心层中。如申请专利范围第1项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该导电材料系具有黏着性。如申请专利范围第1项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中更至少包含：形成至少一介电层于该核心层与该线路层之间。如申请专利范围第1项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该定位孔系以雷射钻孔的方式来形成。如申请专利范围第1项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该定位孔系以机械钻孔的方式来形成。如申请专利范围第1项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该导电材料系一导电胶。如申请专利范围第1项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该导电材料系一金属材料。如申请专利范围第1项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中更至少包含：形成至少一线路于该线路层上。如申请专利范围第8项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该形成该线路的步骤中更至少包含：形成一导电抗氧化层于该线路的表面上。如申请专利范围第8项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中更至少包含：包覆一绝缘保护层于该整合型被动元件基板的表面，并暴露出该线路。如申请专利范围第10项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该绝缘保护层的材料系绿漆。如申请专利范围第8项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该形成该线路的步骤中更至少包含：图案化该些线路层上的一导体层。如申请专利范围第12项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该图案化该导体层的步骤系一蚀刻步骤。如申请专利范围第12项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该图案化该导体层的步骤系一沉积步骤。如申请专利范围第12项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该导体层的材料系铜。如申请专利范围第12项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该导体层的材料系镍。如申请专利范围第12项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该导体层的材料系金。如申请专利范围第1项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中更至少包含：在压合成该基板后，通设至少一导电通孔于该基板内，并电性连接于该线路层。如申请专利范围第18项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该通设该导电通孔的步骤中更至少包含：形成一金属层于该导电通孔之表面。如申请专利范围第19项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该形成该金属层的步骤中该金属层系以电镀的方式而形成。如申请专利范围第19项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该金属层的材料系铜。如申请专利范围第1项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该压合该基板的步骤中更至少包含：设置一贯孔于该核心层，以埋设该被动元件。如申请专利范围第1项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该压合该基板的步骤中更至少包含：设置一盲孔于该核心层，以埋设该被动元件。一种整合型被动元件基板的制造方法，至少包含：提供至少一线路层；形成至少一定位盲孔于该至少一线路层中；设置一导电材料于该定位盲孔中，其中该导电材料系具有黏着性；定位一被动元件于该线路层的该定位盲孔处，并藉由该定位盲孔中的该导电材料来电性连接该被动元件和该线路层；以及压合一核心层、该被动元件、该线路层及至少一介电层成一基板，其中该被动元件系埋设于该核心层中，而该介电层系设置于该核心层与该线路层之间。如申请专利范围第24项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该定位孔系以雷射钻孔的方式来形成。如申请专利范围第24项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该定位孔系以机械钻孔的方式来形成。如申请专利范围第24项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该导电材料系一导电胶。如申请专利范围第24项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该导电材料系一金属材料。如申请专利范围第24项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中更至少包含：形成至少一线路于该线路层上。如申请专利范围第29项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该形成该线路的步骤中更至少包含：形成一导电抗氧化层于该线路的表面上。如申请专利范围第29项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中更至少包含：包覆一绝缘保护层于该整合型被动元件基板的表面，并暴露出该线路。如申请专利范围第29项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该绝缘保护层的材料系绿漆。如申请专利范围第29项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该形成该线路的步骤中更至少包含：图案化该些线路层上的一导体层。如申请专利范围第33项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该图案化该导体层的步骤系一蚀刻步骤。如申请专利范围第33项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该图案化该导体层的步骤系一沉积步骤。如申请专利范围第33项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该导体层的材料系铜。如申请专利范围第33项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该导体层的材料系镍。如申请专利范围第33项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该导体层的材料系金。如申请专利范围第24项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中更至少包含：在压合成该基板后，通设至少一导电通孔于该基板内，并电性连接于该线路层。如申请专利范围第39项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该通设该导电通孔的步骤中更至少包含：形成一金属层于该导电通孔之表面。如申请专利范围第40项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该形成该金属层的步骤中该金属层系以电镀的方式而形成。如申请专利范围第40项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该金属层的材料系铜。如申请专利范围第24项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该压合该基板的步骤中更至少包含：设置一贯孔于该核心层，以埋设该被动元件。如申请专利范围第24项所述之整合型被动元件基板的制造方法，其中该压合基板的步骤中更至少包含：设置一盲孔于该核心层，以埋设该被动元件。 |
