| 主权项 |
一种接合装置用摄影装置，系用于取得被摄体之导线架或基板与安装于导线架或基板之多段积层半导体晶片之影像，其特征在于具有：第1光学系统，具有经由第1透镜而到达共通摄影面且对应于位于离第1透镜不同距离之位置之复数被摄体摄影范围从第1透镜至共通摄影面之长度相异之复数光路；光路切换手段，开放第1光学系统之复数光路内之1个，并遮断其他光路；第2光学系统，具有于第1透镜之被摄体侧从第1光学系统分歧且经由倍率低于第1透镜之第2透镜而到达摄影面之光路，且具备范围大于第1光学系统之视野；以及设于第1光学系统之共通摄影面以取得安装于导线架或基板之多段积层半导体晶片之各层之影像之摄影元件；与设于第2光学系统之摄影面以取得导线架或基板之影像之摄影元件。一种接合装置用摄影装置，系用于取得被摄体之导线架或基板与安装于导线架或基板之多段积层半导体晶片之影像，其特征在于具有：第1光学系统，具有经由被摄体侧透镜与第1摄影面侧透镜而到达共通摄影面且对应于位于离被摄体侧透镜不同距离之位置之复数被摄体摄影范围从被摄体侧透镜至共通摄影面之长度相异之复数光路；光路切换手段，开放第1光学系统之复数光路内之1个，并遮断其他光路；第2光学系统，具有于被摄体侧透镜与第1摄影面侧透镜之间从第1光学系统分歧并经由第2摄影面侧透镜而到达摄影面之光路，且具备范围大于第1光学系统之视野，该第2摄影面侧透镜，其与被摄体侧透镜之合成透镜倍率低于被摄体侧透镜与第1摄影面侧透镜之合成透镜倍率；以及设于第1光学系统之共通摄影面以取得安装于导线架或基板之多段积层半导体晶片之各层之影像之摄影元件；与设于第2光学系统之摄影面以取得导线架或基板之影像之摄影元件。如申请专利范围第1或2项之接合装置用摄影装置，其中，光路切换手段系配合欲拍摄之多段积层半导体晶片之各层高度位置切换复数光路。如申请专利范围第2项之接合装置用摄影装置，其中，第1光学系统，系于沿第1摄影面侧透镜与各摄影面间之光路，具有可在沿光路之方向改变安装位置之光路长度调整手段。如申请专利范围第4项之接合装置用摄影装置，其中，光路长度调整手段为光路长度调整用透镜或透光性玻璃、塑胶、陶瓷。一种摄影方法，系以接合装置用摄影装置取得被摄体之导线架或基板与导线架或安装于基板之各多段积层半导体晶片之影像，该接合装置用摄影装置具备：第1光学系统，具有经由第1透镜而到达共通摄影面且对应于位于离第1透镜不同距离之位置之复数被摄体摄影范围从第1透镜至共通摄影面之长度相异之复数光路；光路切换手段，开放第1光学系统之复数光路内之1个并遮断其他光路；第2光学系统，具有于第1透镜之被摄体侧从第1光学系统分歧且经由倍率低于第1透镜之第2透镜而到达摄影面之光路，且具备范围大于第1光学系统之视野；以及设于第1光学系统之共通摄影面之摄影元件与设于第2光学系统之摄影面之摄影元件，其特征在于包含：导线影像摄影步骤，以第2光学系统之视野对导线架面或基板面扫瞄并以设于第2光学系统之摄影面之摄影元件取得包含各多段积层半导体晶片周围之各导线之导线架或基板之影像；以及半导体晶片摄影步骤，以第1光学系统之摄影元件取得经过以光路调整手段配合多段积层半导体晶片之各层高度位置开放之第1光学系统之任一条光路而成像于第1光学系统之摄影面之多段积层半导体晶片各层之影像。一种摄影方法，系以接合装置用摄影装置取得被摄体之导线架或基板与安装于导线架或基板之各多段积层半导体晶片之影像，该接合装置用摄影装置具备：第1光学系统，具有经由被摄体侧透镜与第1摄影面侧透镜而到达共通摄影面且对应于位于离被摄体侧透镜不同距离之位置之复数被摄体摄影范围从第1被摄体侧透镜至共通摄影面之长度相异之复数光路；光路切换手段，开放第1光学系统之复数光路内之1个并遮断其他光路；第2光学系统，具有于被摄体侧透镜与第1摄影面侧透镜之间从第1光学系统分歧并经由第2摄影面侧透镜到达摄影面之光路，且具备范围大于第1光学系统之视野，该第2摄影面侧透镜，其与被摄体侧透镜之合成透镜倍率低于被摄体侧透镜与第1摄影面侧透镜之合成透镜倍率；以及设于第1光学系统之共通摄影面之摄影元件与设于第2光学系统之摄影面之摄影元件，其特征在于包含：导线影像摄影步骤，以第2光学系统之视野对导线架面或基板面扫瞄并以设于第2光学系统之摄影面之摄影元件取得包含各多段积层半导体晶片周围之各导线之导线架或基板之影像；以及半导体晶片摄影步骤，以第1光学系统之摄影元件取得经过以光路调整手段配合多段积层半导体晶片之各层高度位置开放之第1光学系统之任一条光路而成像于第1光学系统之摄影面之多段积层半导体晶片各层之影像。 |
