| 主权项 |
一种半导体元件，包含：一个具有一个上表面的半导体组件，一个成像区域是形成在该上表面；一个与该半导体组件分隔一个指定距离且面向该半导体组件的透明构件；及一个被构筑来密封该半导体组件之边缘部份与该透明构件之边缘表面的密封构件；其中，一个凹槽形成部份是形成在该透明构件相对于该半导体组件之一表面中，该凹槽形成部份位于该透明构件的边缘表面侧，且在该半导体组件之成像区域的外边缘外侧；又，该凹槽形成部份系处于向该半导体元件之外侧开放的状态，以致于该密封构件不被设置在该凹槽形成部份中。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中，该凹槽形成部份的横截面具有一个结构，其中，底表面是为一个平表面而侧表面是在实质上与该底表面垂直的方向上自该底表面形成出来。如申请专利范围第2项所述之半导体元件，其中，该凹槽形成部份的侧表面是位于与该半导体组件之成像区域之外边缘相同的位置或者在该半导体组件之成像区域的外边缘之外侧，且该侧表面是接近该透明构件的中央之处。如申请专利范围第2项所述之半导体元件，其中，该凹槽形成部份的宽度是等于或大于大约0.05 mm以及是等于或小于大约0.2 mm。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中，该凹槽形成部份的横截面具有一个实质上V形结构。如申请专利范围第5项所述之半导体元件，其中，横截面具有实质上V形结构之该凹槽形成部份之侧表面的一部份，是在该凹槽形成部份的侧表面接近该透明构件的中央之处，而且是与该透明构件的主表面彼此接触的部份，且该部份是位于与该半导体组件之成像区域之外边缘相同的位置或者在该半导体组件之成像区域的外边缘之外侧。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中，该凹槽形成部份的U形横截面具有一个结构，其中，底表面是为一个弧形表面而侧表面是在一个实质上与该底表面垂直的方向上自该底表面形成出来。如申请专利范围第7项所述之半导体元件，其中，横截面具有实质上U形结构之该凹槽形成部份之侧表面的一个部份，是在该凹槽形成部份的侧表面接近该透明构件的中央之处，而且是与该透明构件的主表面彼此接触的部份，且该部份是位于与该半导体组件之成像区域之外边缘相同的位置或者在该半导体组件之成像区域的外边缘之外侧。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中，该凹槽形成部份的深度是大约为该透明构件之厚度的50到90%。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中，单一个该凹槽形成部份是在该透明构件之主表面之四个侧中之每一者附近且沿着对应的侧来被形成。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中，数个该凹槽形成部份是在该透明构件之主表面之四个侧中之每一者附近且沿着对应的侧来被形成。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中，该凹槽形成部份是藉着以切割刀片切割来被形成；且该凹槽形成部份的横截面具有一个对应于该切割刀片之横截面结构的结构。如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中，该凹槽形成部份是藉着蚀刻该透明构件来被形成。 |
