Verfahren zum Herstellen von Halbleiterstrukturen und mittels solcher Verfahren erhaltene Halbleiterstrukturen,申请号DE200911001476T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zum Herstellen von Halbleiterstrukturen und mittels solcher Verfahren erhaltene Halbleiterstrukturen
摘要
申请公布号	DE112009001476(T5)	申请公布日期	2011.04.07
申请号	DE200911001476T	申请日期	2009.05.18
申请人	S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES	发明人	NGUYEN, BICH-YEN;MAZURE, CARLOS
分类号	H01L27/12;H01L21/70	主分类号	H01L27/12
代理机构		代理人
主权项
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