摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft einen Thyristor mit einem Halbleiterkörper (1), in dem in einer vertikalen Richtung (v) ausgehend von einer Rückseite (14) hin zu einer der Rückseite (14) gegenüber liegenden Vorderseite (13) ein p-dotierter Emitter (8), eine n-dotierte Basis (7), eine p-dotierte Basis (6) und ein n-dotierter Emitter (5) aufeinanderfolgend angeordnet sind. Weiterhin ist eine Zündstufenstruktur (AG) mit wenigstens einer Zündstufe (AG1, AG2, AG3, AG4) vorgesehen, von denen jede einen vom n-dotierten Emitter (5) beabstandeten, n-dotierten Zündstufenemitter (51, 52, 53, 54) umfasst, der in die p-dotierte Basis (6) eingebettet ist. Eine Zündstufenelektrode (42) kontaktiert an der Vorderseite (13) einen (52) der Zündstufenemitter (51, 52, 53, 54) und weist mit diesem eine erste Kontaktfläche (421) auf. An einer zweiten Kontaktfläche (422) kontaktiert die Zündstufenelektrode (42) die p-dotierte Basis (6) auf der dem n-dotierten Emitter (5) zugewandten Seite des einen (52) der Zündstufenemitter an der Vorderseite (13). Die zweite Kontaktfläche (422) ist sowohl von der ersten Kontaktfläche (421) als auch vom dem einen (52) der Zündstufenemitter beabstandet.</p> |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES BIPOLAR GMBH & CO. KG;KELLNER-WERDEHAUSEN, UWE;SILBER, DIETER;CHUKALURI, ESWAR KUMAR |
发明人 |
KELLNER-WERDEHAUSEN, UWE;SILBER, DIETER;CHUKALURI, ESWAR KUMAR |