沟槽DMOS晶体管结构的制造方法

摘要

一种具有到位于上表面上的漏极触点的低电阻路径的沟槽DMOS晶体管结构及其制造方法。该晶体管结构包括：(1)第一导电型半导体材料的第一区域；(2)形成在第一区域内的栅极沟槽；(3)栅极沟槽内的栅极介电层；(4)与栅极介电材料层相邻的栅极沟槽内的栅电极；(5)形成在第一区域内的漏极进入沟槽；(6)位于漏极进入沟槽内的导电材料的漏极进入区；(7)第一区域内的第一导电型源区，源区位于第一区域的顶表面上或其相邻处且与栅极沟槽相邻；(8)第一区域内的位于源区下且与栅极沟槽相邻的体区，体区具有与第一导电型相反的第二导电型；以及(9)第一区域内的位于体区下面的半导体材料的第二区域。第二区域为第一导电型且具有比第一半导体区高的掺杂剂浓度。此外，第二区域从栅极沟槽延伸到漏极进入沟槽且与栅极沟槽和漏极进入沟槽自对准。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：(a)提供第一导电型半导体材料的第一区域；(b)在所述第一区域内蚀刻出栅极沟槽和漏极进入沟槽；(c)在所述第一区域内形成第二半导体区域，所述第二区域为所述第一导电型且具有比所述第一半导体区域高的掺杂剂浓度，并且所述第二区域从所述栅极沟槽的下侧和底部延伸到所述漏极进入沟槽的下侧和底部并且与所述栅极沟槽和所述漏极进入沟槽自对准；(e)在所述栅极沟槽内形成栅极介电材料层；(f)在所述栅极沟槽内淀积与所述栅极介电材料层相邻的栅电极；(g)在所述漏极进入沟槽内淀积导电材料的漏极进入区；(h)在所述第一区域内的所述第二区域的上方且在所述栅极沟槽的相邻处形成体区，所述体区具有与所述第一导电型相反的第二导电型；以及(i)在所述体区上且在所述栅极沟槽的相邻处形成所述第一导电型的源区，其中，所述栅极沟槽在与所述漏极进入沟槽不同的蚀刻步骤中形成。