| 发明名称 |
碳纳米管线状结构的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种碳纳米管线状结构的制备方法，其包括以下步骤：提供多个基底，每一基底均具有一生长有碳纳米管阵列的生长表面，所述多个基底的生长表面处于不同的平面；沿与每一基底的生长表面成0°至50°的拉膜角度拉取碳纳米管阵列以获得多个碳纳米管膜；提供一基准位置，在该基准位置合并所述多个碳纳米管膜，以形成一个碳纳米管线状结构。 |
| 申请公布号 |
CN102001641A |
申请公布日期 |
2011.04.06 |
| 申请号 |
CN200910189915.0 |
申请日期 |
2009.08.28 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
冯辰;姜开利;范守善 |
| 分类号 |
C01B31/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/00(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种碳纳米管线状结构的制备方法，其包括以下步骤：提供多个基底，每一基底均具有一生长有碳纳米管阵列的生长表面，所述多个基底的生长表面处于不同的平面；沿与每一基底的生长表面成0°至50°的拉膜角度拉取碳纳米管阵列以获得多个碳纳米管膜；提供一基准位置，在该基准位置合并所述多个碳纳米管膜，以形成一个碳纳米管线状结构。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
