| 发明名称 | 氧化锌类基板及氧化锌类基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种可使生长出的氧化锌类半导体的杂质浓度得以降低的氧化锌类基板。为此，本发明的氧化锌类基板2中IVA族元素、即Si、C、Ge、Sn及Pb的杂质浓度满足1×1017cm-3以下的条件。氧化锌类基板2更优选满足IA族元素、即Li、Na、K、Rb及Fr的杂质浓度为1×1016cm-3以下的条件。 | ||
| 申请公布号 | CN102001857A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN201010270066.4 | 申请日期 | 2010.08.30 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 铃木崇雄;中原健;汤地洋行 |
| 分类号 | C04B35/453(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/453(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 封新琴 |
| 主权项 | 一种氧化锌类基板，其特征在于，该氧化锌类基板中的IVA族元素杂质浓度为1×1017cm‑3以下，所述IVA族元素是Si、C、Ge、Sn和Pb。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||