三氯硅烷合成装置及方法

摘要

本发明涉及一种三氯硅烷合成装置，具体的，涉及一种包括氯化氢气体供气管道（18）、氯化氢气体缓冲室（17）、氯化氢气体分配板（50）、氯化氢与硅粉反应的反应室（11）、硅粉加料口（14）、硅粉和气体进行分离的气-固分离室（12）及反应气体取出口（13）的三氯硅烷合成装置（10），其中反应室（11）里，硅粉加料口（14）下方有硅粉分配器（40）和在气-固分离室（12）里有硅粉阻挡器（60），在气固分离室顶部有吹气管（32）的三氯硅烷合成装置。本发明还涉及一种三氯硅烷的合成方法。按照本发明，使硅粉均匀地分散在硅粉分配器下方的整个反应室里，硅粉与氯化氢气体接触良好；使上升到气-固分离室里的硅粉部分地沉降或吸附在硅粉阻挡器（60）上，并被载气吹送到反应室里与氯化氢气体反应，因此，三氯硅烷转化率高，节约能源，生产效率高。

主权项

一种三氯硅烷合成装置，包括氯化氢气体进气口、氯化氢气体缓冲室、氯化氢气体分配板、氯化氢与硅粉反应的反应室、硅粉加料口、硅粉和气体进行分离的气‑固分离室及反应气体取出口，其特征在于在硅粉的加料口下方设有硅粉分配器，在气‑固分离室设有硅粉阻挡器，在气‑固分离室顶部设有吹气管。