一种被处理体的保持装置

摘要

本发明涉及一种被处理体的保持装置，包括基座以及位于基座上方的绝缘层和聚焦环，所述聚焦环位于所述绝缘层的周围，在所述聚焦环与所述基座的连接处还设有至少一个气体流通沟槽，所述气体流通沟槽的面积占所述连接处聚焦环面积的5～95％，所述气体流通沟槽的深度为所述聚焦环整体厚度或所述基座整体厚度的5～95％。由于本发明在聚焦环与基座的连接处设置了气体流通沟槽，并且，通过设置该气体流通沟槽的面积和深度，使得热传导气体可以具有更好的流动性，进而使得聚焦环整体的温度在整个晶片加工工艺中，都能够得到良好的温度控制，所以，可以使得需要精细加工的半导体晶片能够在处理效果上得到大大的改进。

主权项

一种被处理体的保持装置，包括基座以及位于基座上方的绝缘层和聚焦环，所述聚焦环位于所述绝缘层的周围，其特征在于：在所述聚焦环与所述基座的连接处还设有至少一个与气体供给通道连通并且允许气体在其内流动的气体流通沟槽，所述气体流通沟槽的面积占所述连接处聚焦环面积的5～95％，所述气体流通沟槽的深度为所述聚焦环整体厚度或所述基座整体厚度的5～95％。