发明名称 |
管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管,属于有机微电子学领域。该器件包括绝缘衬底上的源电极、介质层、半导体层、管状栅电极以及金属漏电极。其中器件的栅电极为管状,包裹在中心区的有机半导体层外围。栅电极和有机半导体层之间通过栅介质互相隔离开。源电极和漏电极均为平面电极,分别位于器件的底部和顶部,通过介质层和栅电极分离。本发明提供的器件结构通过把沟道方向从水平转变为垂直,只需要控制薄膜的生长厚度就能够有效控制器件的沟道长度,避免了昂贵的电子束光刻,是一种低成本的短沟道有机场效应晶体管。同时本发明还提供了这种器件的制备方法。 |
申请公布号 |
CN101447552B |
申请公布日期 |
2011.04.06 |
申请号 |
CN200810227455.1 |
申请日期 |
2008.11.25 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
商立伟;刘明;涂德钰;刘舸;刘兴华 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
一种管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管,其特征在于,包括绝缘衬底以及在所述绝缘衬底上的栅电极、源电极、漏电极、介质层和半导体层;所述半导体层位于该晶体管中央,所述半导体层的上部与所述漏电极相接触,所述半导体层的下部与所述源电极相接触;在所述半导体层的外部包围有管状栅电极;在所述半导体层与所述栅电极之间填充有介质层,将所述半导体层和所述栅电极隔离开;在所述源电极与所述漏电极之间也填充有介质层,将所述源电极与所述漏电极隔离开。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |