| 发明名称 | 光半导体装置 | ||
| 摘要 | 得到一种能够提高耐湿性的光半导体装置。在n型InP衬底(11)上依次层叠n型InGaAs光吸收层(12)、作为窗层和倍增层的n型InP层(13)(第一导电型半导体层)。选择性地进行杂质扩散或者离子注入，由此，在n型InP层(13)的上表面的一部分上形成p型InP区域(14)(第二导电型半导体区域)。n型InP层(13)以及p型InP区域(14)的上表面被表面保护膜(15)覆盖。在n型InP衬底(11)的下表面连接阴极电极(16)(第一电极)。在p型InP区域(14)的上表面连接环状的阳极电极(17)(第二电极)。以包围阳极电极(17)的方式，配置低电压电极(19)。对该低电压电极(19)施加比阴极电极(16)低的电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101320763B | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200810005763.X | 申请日期 | 2008.02.04 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 石村荣太郎;田中芳和 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 一种光半导体装置，其特征在于，具有：绝缘性的台座；在所述绝缘性的台座的上表面配置的芯片；以及低电压电极，在所述绝缘性的台座的上表面以包围所述芯片的方式配置，所述芯片具有：第一导电型半导体层；形成在所述第一导电型半导体层的上表面的一部分上的第二导电型半导体区域；覆盖所述第一导电型半导体层以及所述第二导电型半导体区域的上表面的表面保护膜；与所述第一导电型半导体层连接的第一电极；以及第二电极，通过在所述表面保护膜上设置的开口，与所述第二导电型半导体区域连接，对其施加比所述第一电极低的电压，所述低电压电极被施加比所述第一电极低的电压。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||