低温薄膜晶体管工艺、装置特性、和装置稳定性改进

摘要

提供了一种用以形成一薄膜晶体管的方法和设备。形成一栅极介电层，它可能是双层的，第一层沉积以一低速率沉积，而第二层则以一高速率沉积。在一些实施方式中，该第一介电层是一富硅氮化硅层。形成一有源层，它亦可能是双层的，第一有源层以一低速率沉积，而第二有源层则以一高速率沉积。本文所述的薄膜晶体管具有优良的迁移率和压力下的稳定度。

主权项

一种用以形成一薄膜晶体管的方法，包含下列步骤：以一第一速率，在一基板上形成一富硅氮化硅层；以一第二速率，在该富硅氮化硅层上形成一氮化硅层；以一第三速率，在该氮化硅层上形成一第一非晶硅层；和以一第四速率，在该第一非晶硅层上形成一第二非晶硅层。