检测并测量静电荷的装置

摘要

本发明提供了一种检测并测量静电荷的装置，所述装置(10)检测并测量位于距装置(10)的输入电极(11)距离(r.)处的对象(100)上的静电荷(q)，其包括至少一个MOS场晶体管(20)。输入电极(11)与MOS-FET(20)的栅电极(21)连接，以检测所述电荷。MOS-FET(20)可以包括在栅极(21)下面并且在源极(22)和漏极(23)区上面的栅氧化层，其具有足够厚度，以允许MOS场晶体管(20)经受住若干千伏(kV)的电压，并且避免由于在ESD事件期间的栅电极的高电势的隧道效应造成的电荷损失。

主权项

一种装置(10，30，40)，用于检测并测量位于距所述装置(10，30，40)的输入电极(11)距离(r.)处的对象(100)上的静电荷(q)，所述装置包括至少一个金属氧化物半导体晶体管(20，33，34)，其中，所述装置的所述输入电极(11)与所述至少一个金属氧化物半导体晶体管(20，33，34)的栅电极(21)连接以检测所述电荷，其特征在于，所述金属氧化物半导体晶体管(20，33，34)包括在所述栅极(21)下面并且在源极(22)和漏极(23)区上面的栅氧化层(24)，其具有大于1微米的厚度，并且在于，所述输入电极(11)与所述栅电极(21)之间的连接是直接的并且是低电阻连接(50)，并且在于，所述低电阻连接(50)与所述装置没有另外的连接，其具有低于由在所述金属氧化物半导体晶体管(20，33，34)内的所述栅氧化层(24)连接提供的电阻的电阻。