微电子装置及制造方法、微机电封装结构及封装方法

摘要

本发明是有关于一种微电子装置及制造方法、微机电封装结构及封装方法，其中该微电子装置的制造方法，其先在基底的CMOS电路区内形成半导体元件，接着在基底上形成多层金属层、多个接触窗、多层氧化层与第一保护层，其中第一保护层位于至少一层氧化层上，且这些金属层与氧化层交错层叠，而接触窗形成于氧化层内，并连接至对应的金属层，以于基底的微机电区上构成微机电结构，并于CMOS电路区上构成内连线结构。然后，在内连线结构上形成第二保护层。之后，移除微机电区上的部分氧化层，以使微机电结构部份地悬于基底上方。由于CMOS电路与微机电元件可整合至同一工艺中完成，因此可降低微电子装置的生产成本。另外，本发明还提供一种微电子装置与微机电封装结构及其封装方法。

主权项

一种微电子装置的制造方法，其特征在于其包括：提供一基底，具有一CMOS电路区与一微机电区；在该基底的该CMOS电路区内形成至少一半导体元件；在该基底上形成至少一第一金属层、多个第一接触窗与至少一第一氧化层，其中该至少一第一金属层与该至少一第一氧化层交错层叠，而该些第一接触窗位于该至少一第一氧化层内，并连接至该至少一第一金属层；在该至少一第一氧化层位于该微机电区的部分上形成一第一保护层；在该至少一第一氧化层及该第一保护层上形成多层第二金属层、多个第二接触窗与多层第二氧化层，其中该些第二金属层与该些第二氧化层交错层叠，而该些第二接触窗位于该些第二氧化层内，并连接至相对应的该些第二金属层，且位于该微机电区上的部分该些第二金属层、部分该些第二接触窗及部分该些第二氧化层构成一微机电结构，而该些第二金属层、该些第二接触窗及该些第二氧化层位于该CMOS电路区上的部分与该至少一第一金属层、该些第一接触窗与该至少一第一氧化层位于该CMOS电路区上的部分构成一内连线结构；在该内连线结构上形成一第二保护层，以覆盖住该内连线结构；以及移除该微机电区上的部分该些第二氧化层，以使该微机电结构部份地悬于该基底上方，而构成一微机电元件。