发明名称 三端可多次编程存储器位单元及阵列架构
摘要 在一具体实施例中,一种非易失性存储器位单元包含一程序电极、一擦除电极、一悬臂电极及切换构件,该悬臂电极连接至一定位于该程序电极与该擦除电极之间的双稳态悬臂,且该切换构件连接至该程序电极,该程序电极经布置以将一电压电位施加于该程序电极,或以检测或以防止电流从该悬臂流至该程序电极。该切换构件可包括一开关,其具有一第一节点、一第二节点及一控制节点,其中将电压施加于该控制节点以启动该开关,以在该第一节点与该第二节点之间提供一连接。该切换构件可包括一传导门。该切换构件可包括一N型金属氧化物半导体晶体管。该切换构件可包括一P型金属氧化物半导体晶体管。该切换构件可包括一微机电系统开关。
申请公布号 CN102007546A 申请公布日期 2011.04.06
申请号 CN200980107925.3 申请日期 2009.02.13
申请人 卡文迪什动力有限公司 发明人 彼得勒斯·罗伯图斯·范坎彭
分类号 G11C29/00(2006.01)I 主分类号 G11C29/00(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;钟强
主权项 一种非易失性存储器位单元,其包括:一擦除电极;一程序电极;一悬臂电极,其连接至一双稳态悬臂,该双稳态悬臂定位于该程序电极与该擦除电极之间,其中在该双稳态悬臂接触该擦除电极的接触区域中,该双稳态悬臂及该擦除电极是电性绝缘的;以及切换装置,其连接至该程序电极。
地址 英国伦敦