| 发明名称 | 阻挡层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阻挡层的形成方法，所述阻挡层形成在连接孔内或者同时形成在沟槽和连接孔内，包括：依次淀积氮化钽TaN层和钽Ta层，形成由TaN层和Ta层构成的叠层阻挡层，所述叠层阻挡层的厚度在10～50埃；对连接孔的底部进行物理轰击re-sputter，依次刻蚀连接孔底部的Ta层和TaN层，显露出下层的铜互连线；将上述形成叠层阻挡层和re-sputter步骤循环执行N次，然后在第N层叠层阻挡层表面及下层铜互连线表面淀积第二Ta层，其中2≤N≤10。该方法在形成阻挡层时，有效降低对Low-K材料层以及对下层铜互连线的损伤，形成较好的互连层形貌。 | ||
| 申请公布号 | CN102005411A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200910194955.4 | 申请日期 | 2009.09.01 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 聂佳相 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种阻挡层的形成方法，所述阻挡层形成在连接孔内或者同时形成在沟槽和连接孔内，该方法包括：依次淀积氮化钽TaN层和钽Ta层，形成由TaN层和Ta层构成的叠层阻挡层，所述叠层阻挡层的厚度在10～50埃；对连接孔的底部进行物理轰击re‑sputter，依次刻蚀连接孔底部的Ta层和TaN层，显露出下层的铜互连线；将上述形成叠层阻挡层和re‑sputter步骤循环执行N次，然后在第N层叠层阻挡层表面及下层铜互连线表面淀积第二Ta层，其中2≤N≤10。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||