一种锗的表面钝化方法

摘要

本发明属于半导体制造技术领域，具体公开了一种锗的表面钝化方法。采用硫代乙酰胺（CH3CSNH2）溶液钝化锗（Ge）片，可以清除Ge片表面的自然氧化物，并且能够生成均匀致密的GeSx钝化层，防止Ge片表面的再次氧化，消除费米能级钉扎。在钝化后的Ge片上，采用原子层淀积方法淀积一层高质量的Al2O3薄膜来防止Ge片表面的再次氧化，可以获得优良的Al2O3/Ge界面。

主权项

一种锗的表面钝化方法，其特征在于具体步骤为：配置浓度为0.5‑2mol/L的CH3CSNH2溶液；在25‑60℃的温度下将清洗好的Ge片放入所述CH3CSNH2溶液中，钝化1‑30分钟；清洗钝化好的Ge片并吹干；以三甲基铝作为铝的前驱体，H2O作为氧的前驱体，在温度为200‑350℃、原子层淀积反应腔压强为0.5‑15torr的条件下，采用原子层淀积方法在Ge片表面淀积一层0.5‑3纳米厚Al2O3薄膜。