碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法

摘要

本发明涉及碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。本发明对碳化硅单晶采用多级化学机械抛光、调控不同pH值、抛光压力及转速，使得在保持低翘曲，低弯曲，高平整度，厚度均匀性好的前提条件下，有效地降低了晶片的表面损伤，改善了晶片表面粗糙度水平。

主权项

碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法，包括下述步骤：(1)碳化硅单晶表面采用pH值为12～13.5，浓度为30％～50％，粒度大小为80～100nm的SiO2胶体作为抛光液进行抛光，采用抛光布并控制抛光压力在150～400g/cm2，抛光盘转速为70～100r/min；(2)对步骤(1)加工后碳化硅单晶表面采用pH值为10～12，浓度为15％～30％，粒度大小为50～80nm的SiO2胶体作为抛光液进行抛光，采用抛光布并控制抛光压力在400～1000g/cm2，抛光盘转速为50～70r/min；(3)对步骤(2)加工后碳化硅单晶表面采用pH值为8～10，浓度为5％～15％，粒度大小为30～50nm的SiO2胶体作为抛光液进行抛光，采用抛光布并控制抛光压力在150～400g/cm2，抛光盘转速为30～50r/min；步骤(1)中所述的抛光布的邵氏硬度为75～90；步骤(2)中所述的抛光布的邵氏硬度为65～80；步骤(3)中所述的抛光布的邵氏硬度为55～70；所述步骤(1)～步骤(3)中的抛光温度为25～65℃。