发明名称 |
METODO PARA PROCESAMIENTO CON LASER. |
摘要 |
Método de procesamiento con láser de luz láser convergente (L) en el interior de una oblea de silicio (11) que presenta un grosor t > 350 μm con una lente condensadora (53) para formar una pluralidad de filas de zonas modificadas para convertirse en un punto inicial de corte dentro de la oblea de silicio (11) a lo largo de una línea de corte (5) de la oblea de silicio, caracterizado por el hecho de que dicho procedimiento comprende las etapas de: formar una primera zona modificada a lo largo de la línea de corte (5) en una primera área que presenta una profundidad de 350 μm a t μm con t <= 500 μm, o que presenta una profundidad de 350 μm a 500 μm con t > 500 μm, desde una superficie de entrada de luz láser (3) de la oblea de silicio (11); y formar una segunda zona modificada a lo largo de la línea de corte (5) en una segunda área que presenta una profundidad de 0 μm a 250 μm desde la superficie de entrada de luz láser (3); en el que una condición de irradiación de luz láser para formar la primera zona modificada se hace diferente de una condición de irradiación de luz láser para formar dicha segunda zona modificada para corregir una aberración esférica de la luz láser en la primera área. |
申请公布号 |
ES2356295(T3) |
申请公布日期 |
2011.04.06 |
申请号 |
ES20060782385T |
申请日期 |
2006.08.04 |
申请人 |
HAMAMATSU PHOTONICS KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
SAKAMOTO, TAKESHI;MURAMATSU, KENICHI |
分类号 |
B23K26/40;B23K101/40;B28D5/00;H01L21/301 |
主分类号 |
B23K26/40 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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