| 主权项 |
采用有源电感负载的可调谐窄带低噪声放大器，其特征在于使用第三～第八6个MOS管(3、4、5、6、7、8)组成的可调有源电感作为共栅低噪声放大器的负载，同时通过由第九～第十五7个MOS管(9、10、11、12、13、14、15)组成的偏置电流源来改变偏置电流；使用可调有源电感作为共栅低噪声放大器的负载；其中，第一、第二2个NMOS管(1、2)接为共源极放大器，源极输入射频信号，栅极为固定电压偏置，从漏极输出到第一、第二2个节点(20、21)；第三、第四2个NOMS管(3、4)为共源放大器，栅极分别连接第一、第二节点(20、21)，源极均连接到偏置电流源第九NMOS管(9)漏极，第三、第四2个NMOS管(3、4)均从漏极输出到各自负载第七、第八PMOS管(7、8)漏极；第七、第八2个PMOS管(7、8)为负载，栅极接固定偏置电压，源极接电源高电平；第五、第六2个PMOS管(5、6)为共源接法，栅极输入分别为第四、第三NMOS管(4、3)的漏极，输出为第一、第二2个节点(20、21)，源极接高电平；第九～第十五7个MOS管(9、10、11、12、13、14、15)为前馈放大器的偏置电路；其中第九、第十2个NMOS管(9、10)为电流镜，栅极相连，源极接地，第十NMOS管(10)栅漏相连，第九NMPS管(9)漏极输出接第三、第四2个NMOS(3、4)源极，作为其偏置电流，第十NMPS管(10)漏极接第十一、第十三2个PMOS管(11、13)漏极；第十二、第十四、第十五3个PMOS管(12、14、15)为电流镜，栅极相连源极接高电平，第十五PMOS管(15)栅漏相连，接参考电流Iref，第十二、第十四2个PMOS管(12、14)漏极分别接第十一、第十三2个PMOS管(11、13)的源极；第十一、第十二2个PMOS管(11、13)的漏极相连，接第十NMOS管(10)漏极，栅极分别接控制电压Vn和V1；第一、第二2个电容(16、17)为第一、第四2个节点(20、23)对地的寄生电容，为等效电容。 |
