纳米结构开关忆阻器及其制造方法

摘要

纳米结构开关忆阻器及其制造方法，涉及到一种纳米结构忆阻器结构与制造方法，它克服了现有的忆阻器制造模型开关速度相对比较低的问题。本发明的纳米结构开关忆阻器包括有三层纳米膜，分别为P型半导体层、中性半导体层和N型半导体层，所述忆阻器的两个电极还可以采用交叉布置的方式。本发明的制作方法中，采用电解的方法在多孔模板的纳米孔洞中制作纳米金属线，所述纳米金属线用于连接三层纳米膜和电极，所述的三层纳米膜采用磁控溅射的方法获得，最后采用压印技术制备忆阻器的电极引线。本发明所述的忆阻器的开关速度快，更适用于在即将出现的更快、更节能的即开型PC或模拟式计算机中实现存储数据功能。

主权项

纳米结构开关忆阻器，它包括上电极(1)、下电极(2)，其特征在于它还包括三层纳米膜，所述三层纳米膜由N型半导体层(15)、中性半导体层(16)和P型半导体层(17)叠加组成，其中P型半导体层(17)与上电极(1)电气连接，N型半导体层(15)与下电极(2)电气连接；所述的三层纳米膜中的每一层纳米层的厚度相同或不相同均可，三层纳米膜的总厚度小于100nm，并大于3nm；其中，每一层的纳米膜的厚度为1nm至33nm；所述N型半导体层(15)的材料为TiO2‑x缺氧纳米材料；所述中性半导体层(16)的材料为TiO2中性纳米材料；所述P型半导体层(17)的材料为TiO2+x富氧纳米材料。