一种绝缘体上硅器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种绝缘体上硅器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述绝缘体上硅器件为采用p型绝缘体上硅晶圆制备的绝缘体上硅器件，包括p型底部硅衬底、埋氧层以及形成于顶层硅膜内的N型场效应晶体管和P型场效应晶体管，所述N型场效应晶体管和P型场效应晶体管分别位于体区中，均包括漏极、源极、栅极和体引出部分；所述包含N型场效应晶体管的体区和包含P型场效应晶体管体区之间是电学隔离的。本发明的绝缘体上硅器件可以有效地抑制浮体效应，源漏对称，无额外寄生电容，在保持SOI电路优势的同时，可以最大程度地与主流体硅工艺和设计兼容。

主权项

一种绝缘体上硅器件，包括p型底部硅衬底(104)、埋氧层(103)以及形成于顶层硅膜(102)内的N型场效应晶体管(66)和P型场效应晶体管(68)，其特征在于，所述N型场效应晶体管(66)位于体区(608)中，其包括漏极(96)、源极(500)、栅极(92)和体引出部分(56)，所述体引出部分(56)为+3价离子掺杂的多晶硅；所述P型场效应晶体管(68)位于体区(610)中，其包括漏极(98)、源极(550)、栅极(92)和体引出部分(58)，所述体引出部分(58)为+5价离子掺杂的多晶硅；所述体区(608)和体区(610)之间是电学隔离的，所述p型底部硅衬底(104)上具有深N型阱(310)，所述深N型阱(310)注入有+5价离子，所述包含N型场效应晶体管(66)的体区(608)通过所述体引出部分(56)与所述p型底部硅衬底(104)电连接，所述包含P型场效应晶体管(68)的体区(610)通过所述体引出部分(58)与所述深N型阱(310)电连接。