发明名称 一种CIGS粉末、靶材、薄膜及其制备方法
摘要 本发明提供了一种CIGS粉末、靶材、薄膜及其制备方法;所述的CIGS粉末为纯CuInxGa1-xSe2相,其中0<x<1;该CIGS靶材具有均一的CuInxGa1-xSe2相,由所述的CIGS粉末经冷等静压或模压成型后烧结而得;所述的CIGS薄膜的制备方法为:先由所述的CIGS靶材经磁控溅射方法沉积一层薄膜,再将该薄膜进行热处理。所得的CIGS靶材的相对密度达95%以上,成分均匀,具有均一的CuInxGa1-xSe2相,制作成本低廉且性能稳定。本发明提供的CIGS薄膜制备工艺,极大地简化了传统工艺,提高了原材料利用率和生产效率。
申请公布号 CN101613091B 申请公布日期 2011.04.06
申请号 CN200910304873.0 申请日期 2009.07.27
申请人 中南大学 发明人 周继承;巩小亮;黄迪辉
分类号 H01L21/20(2006.01)I;C01B19/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I 主分类号 H01L21/20(2006.01)I
代理机构 长沙市融智专利事务所 43114 代理人 颜勇
主权项 一种CIGS粉末的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)制备CuInxGa1‑xSe2沉淀物:方法A:选用Cu、In、Ga的氯化物或碘化物和Na2Se按分子式CuInxGa1‑xSe2中的摩尔比称取原料并溶于有机溶剂中,其中0<x<1;有机溶剂为甲醇、甲苯或吡啶;将混合溶液在抽真空后或在保护气氛环境下置于冰浴中控制温度为0℃进行反应,反应中搅拌;反应产物为CuInxGa1‑xSe2沉淀物和Na盐;方法B:选用Cu、In、Ga的氯化物或碘化物和单质硒粉末按分子式CuInxGa1‑xSe2中的摩尔比称取原料并溶于有机溶剂中,有机溶剂选用乙二胺和三乙烯四胺;将混合溶液在保护气氛下置于油浴中控制温度在100℃~250℃间的某一恒温进行反应;反应产物为CuInxGa1‑xSe2沉淀物;2)将所得反应产物置于离心分离机上使沉淀与液体分离,分离后所得的固体物经去离子水洗和无水乙醇洗涤后在干燥箱中进行烘烤,烘烤温度为80℃~200℃;3)将干燥后产物在200℃~500℃保护气氛下热处理;所得产物研磨后得CIGS粉末,所述的CIGS粉末为纯CuInxGa1‑xSe2相,其中0<x<1;步骤A或B中的保护气体为Ar或N2,保护气体的压力为1个标准大气压。
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