| 发明名称 | 用于铜柱结构的自对准保护层 | ||
| 摘要 | 一种形成在钝化层中的铜柱，用以与下部的接合焊盘区域电连接，并且延伸以从钝化层中突出。保护层以自对准方式形成在铜柱的侧壁表面和顶表面。保护层是含锰氧化层、含锰氮化层或者含锰氮氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN102005417A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN201010272216.5 | 申请日期 | 2010.08.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘重希;余振华 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;熊须远 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的接合焊盘区域；在所述接合焊盘区域上并与所述接合焊盘区域电连接的含铜柱；以及所述含铜柱表面上的保护层，其中，所述保护层包括锰(Mn)。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||