生产半导体器件的方法

摘要

本发明的目的之一是提供一种生产半导体器件的方法，所述器件厚度在90μm到200μm之间，并且在该器件的后表面上具有电极。根据本发明所生产的器件可以通过优化铝硅电极的硅浓度及其厚度来实现高合格品比例。在硅衬底的第一主表面区域中形成有表面器件结构。在研磨第二主表面以减少所述衬底厚度之后，在所述第二主表面的区域中形成有缓冲层10和集电层8。在集电层8上，形成有包含有第一层铝硅薄膜的集电电极9，所述铝硅薄膜的厚度为0.3μm到1.0μm，并且硅浓度在0.5wt％到2.0wt％之间，最好不超过1wt％。

主权项

一种生产半导体器件的方法，所述器件在硅衬底的第一主表面区域中具有前表面器件结构，在所述硅衬底的第二主表面区域中具有后电极，所述方法包括形成所述后电极的与所述第二主表面相接触的铝硅薄膜的步骤，其中，所述铝硅薄膜的硅浓度是在0.5wt％到2wt％的范围中，并且所述铝硅薄膜的厚度是在0.3μm到1.0μm的范围中。