光电二极管以及具有该光电二极管的光电IC

摘要

本发明提供一种光电二极管和光电IC。光电二极管具有：支撑衬底；形成在该支撑衬底上的绝缘层；硅半导体层，形成在绝缘层上，具有元件形成区域和元件隔离区域；形成于该元件隔离区域的元件隔离层；P型高浓度扩散层，是在元件形成区域，高浓度扩散P型杂质而形成的；N型高浓度扩散层，是在元件形成区域，与P型高浓度扩散层具有间隔地高浓度扩散N型杂质而形成的；低浓度扩散层，是在元件形成区域，低浓度扩散与P型高浓度扩散层和N型高浓度扩散层的任意一方相同型的杂质而形成的；以及硅化物层，是在P型高浓度扩散层和N型高浓度扩散层的上部，分别与低浓度扩散层和P型高浓度扩散层的边界、以及低浓度扩散层和N型高浓度扩散层的边界具有间隔地形成的。

主权项

一种光电二极管，其特征在于，具有：支撑衬底；形成在该支撑衬底上的绝缘层；硅半导体层，其形成在该绝缘层上，具有元件形成区域和包围该元件形成区域的元件隔离区域；形成于该元件隔离区域的元件隔离层；P型高浓度扩散层，其是在与该元件隔离层内侧的一个边相接的上述元件形成区域，高浓度扩散P型杂质而形成的；N型高浓度扩散层，其是在和该元件隔离层的与一个边相对的另一个边相接的上述元件形成区域，与上述P型高浓度扩散层具有间隔地高浓度扩散N型杂质而形成的；低浓度扩散层，其是在位于上述P型高浓度扩散层与上述N型高浓度扩散层之间的上述元件形成区域，低浓度扩散与上述P型高浓度扩散层和N型高浓度扩散层的任意一方相同型的杂质而形成的；虚设侧壁，其是在上述P型高浓度扩散层和N型高浓度扩散层的各自与上述低浓度扩散层的边界侧的上述P型高浓度扩散层和N型高浓度扩散层上，分别与上述边界相接地形成的；以及硅化物层，其分别形成在该虚设侧壁与上述元件隔离层之间的上述P型高浓度扩散层和N型高浓度扩散层的上部。