| 发明名称 | 对紧密间隔晶体管中接触等级的介电材料加以图案化的具有缩减厚度的蚀刻终止层 | ||
| 摘要 | 于双应力衬里方法中，中间蚀刻终止材料(234)可以基于等离子体辅助氧化工艺(250)而非通过沉积方式来设置，因此可以减少蚀刻终止材料(234)之对应厚度(234T)。如此一来，所造成的纵横比相较于知策略较不明显，藉此减少与沉积相关之不规则，其中，该不规则可能转化成为明显的产率损失降低，尤其对于高度微缩之半导体器件(200)而言更为明显。 | ||
| 申请公布号 | CN102007589A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200980113333.2 | 申请日期 | 2009.02.27 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | K·维乔雷克;M·奥尔斯特曼;P·许布勒;K·鲁特洛夫 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;靳强 |
| 主权项 | 一种方法，包括下列步骤：在半导体器件(200)的第一和第二晶体管(220A、220B)上方形成第一介电层(230)；通过将该第一介电层(230)暴露于氧化等离子体环境(250)以便氧化该第一介电层(230)的表面(230S)，而至少在该第一晶体管(220A)上方的该第一介电层(230)上形成蚀刻终止层(234)；去除位于该第二晶体管(220B)上方的该第一介电层(230)的部分；在该第二晶体管(220B)上方和该蚀刻终止层(234)上形成第二介电层(240)；以及通过使用该蚀刻终止层(234)作为蚀刻终止而自该第一晶体管(220A)上方选择性地去除该第二介电层(240)。 | ||
| 地址 | 英国开曼群岛 | ||