| 发明名称 | 利用焦耳加热晶化非晶硅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶化非晶硅薄膜的制备方法，所述方法包括，在透明基板上所形成的介电质上形成非晶硅，接着，在基板的顶面上形成传导层，于所述传导层上施加电场，以产生热，以及通过所产生的热晶化非晶硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101395706B | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200780007510.X | 申请日期 | 2007.03.05 |
| 申请人 | 思稀特股份有限公司 | 发明人 | 卢在相;洪沅义 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种晶化硅薄膜的方法，包括下列步骤：在配置于透明基板上的介电薄膜上形成非晶硅状态的有源层；于如此制得的基板的顶面上形成传导层；以及利用1000W/cm2～1,000,000W/cm2的功率密度持续1/10,000,000～1秒来对所述传导层施加电场，以通过从所述传导层所产生的热来晶化所述非晶硅状态的有源层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔市 | ||