| 发明名称 | 快闪存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及快闪存储器件及其制造方法。在本发明的一个方面中，快闪存储器件包括：在半导体衬底中形成的下部具有台阶的沟槽、在半导体衬底的有源区中形成的隧道绝缘层、在隧道绝缘层上形成的第一导电层、在沟槽和第一导电层之间间隙填充的隔离层、和在第一导电层上形成并且一侧与隔离层部分重叠的第二导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101515585B | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200810132034.0 | 申请日期 | 2008.07.18 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 董且德 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 一种快闪存储器件，包括：具有单元区域的隔离区和有源区的半导体衬底；在所述半导体衬底的有源区上形成的隧道绝缘层；在所述隧道绝缘层上形成的第一导电层；在所述隔离区的半导体衬底中具有台阶结构形状的沟槽，所述沟槽是不对称的；在所述沟槽中填充有隔离材料的隔离层；和在所述第一导电层上形成的第二导电层，其中所述第二导电层的一侧与所述隔离层部分重叠。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||