| 发明名称 | 用高蚀刻速率抗蚀剂掩膜进行蚀刻 | ||
| 摘要 | 提供一种将特征蚀刻入蚀刻层的方法。在该蚀刻层上方形成图案化掩膜，其中该图案化掩膜是高蚀刻速率光阻材料的，其中该图案化掩膜具有图案化掩膜特征。通过执行循环沉积，在该高蚀刻速率光阻材料的图案化掩膜上沉积保护层，其中每个循环包含在该暴露表面上方沉积沉积层的沉积阶段，该暴露表面包括该高蚀刻速率光阻材料的图案化掩膜的侧壁以及用于提供竖直侧壁的轮廓整形阶段。使用该保护层作为掩膜将特征蚀刻入该蚀刻层。除去该保护层。 | ||
| 申请公布号 | CN102007570A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200880123037.6 | 申请日期 | 2008.12.05 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 安德鲁·R·罗马诺;列扎·S·M·萨德贾迪 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 周文强;李献忠 |
| 主权项 | 一种将特征蚀刻入蚀刻层的方法，包含：在该蚀刻层上方形成图案化掩膜，其中该图案化掩膜是高蚀刻速率光阻材料的，其中该图案化掩膜具有图案化掩膜特征；通过执行循环沉积，在该高蚀刻速率光阻材料的图案化掩膜上沉积保护层，其中每个循环包含：在该暴露表面上方沉积沉积层的沉积阶段，该暴露表面包括该高蚀刻速率光阻材料的图案化掩膜的侧壁；以及用于提供竖直侧壁的轮廓整形阶段；使用该保护层作为掩膜将特征蚀刻入该蚀刻层；以及除去该保护层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||