一种制备同质外延衬底的方法

摘要

本发明提供一种新的制备同质外延衬底的方法，属于制备高效、大功率氮化镓基发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）等光电子学器件技术领域。本发明首先将氮化镓同质自支撑衬底刻蚀分割为若干个独立的部分；在上述分割后的同质自支撑衬底上，用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法进行再次外延，将分立化的衬底横向连接，再次形成完整氮化镓同质自支撑衬底。采用本发明制备出的同质外延衬底可有效的防止形变对光电子学和电子学器件的性能影响，提高同质外延生成LED、LD和高电子迁移率器件（HEMT）等产品的质量和成品率。

主权项

一种制备氮化镓同质外延衬底的方法，其步骤包括：1)将氮化镓同质自支撑衬底刻蚀分割为若干个独立的部分；2)在上述分割后的同质自支撑衬底上，用金属有机物化学气相沉积法、分子束外延或氢化物气相外延法进行再次外延，将分立化的衬底横向连接，再次形成完整氮化镓同质自支撑衬底。