| 发明名称 | 半导体装置结构及其相关工艺 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种改良式高可靠性功率凹陷场板(RFP)结构以及其制造工艺和操作处理。该结构包括位于这些RFP沟槽底下的复数个局部化掺杂物浓度区域，其浮动或延伸并且与MOSFET的本体层汇合，或通过竖直掺杂区域与该源极层连接。此局部掺杂物区降低该装置中本体二极管的少数载流子注入效率，并且改变该本体二极管反向恢复期间的该电场分布。 | ||
| 申请公布号 | CN102007584A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
| 申请号 | CN200980113105.5 | 申请日期 | 2009.02.10 |
| 申请人 | 马克斯半导体股份有限公司 | 发明人 | 曾军;穆罕默德·恩·达维希 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人 | 刘云贵 |
| 主权项 | 一种半导体装置结构，包含：栅极，其位于第一沟槽内，并电容耦合来控制从第一导电类型的源极通过与所述沟槽相邻的半导体材料的竖直传导；凹陷场板，其位于所述半导体材料附近并电容耦合至该材料；所述凹陷场板位于各个第二沟槽内；以及至少部分位于所述各个第二沟槽底下的第二导电类型的扩散。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||