发明名称 全局性地重置图像传感器的像素
摘要 本发明提供一种成像电路,其包括配置成响应于全局性重置信号而并发重置像素阵列中的像素阵列。这些像素按照行配列,使得这些行可个别地被行选择线选择。重置晶体管通过将重置电压耦合至像素的浮动扩散而并发重置像素。转移栅晶体管选择性地将浮动扩散耦合至储存区域。存储栅晶体管选择性地将储存区域耦合至感光区域,使得每个像素的重置晶体管、转移栅晶体管以及存储栅晶体管可响应于全局性重置信号而被激活。相关双采样器可用于使用重置电压的第一采样电压以及将光电二极管区域曝光于入射光时产生的像素电压的第二采样电压来提供相关双采样。
申请公布号 CN102007594A 申请公布日期 2011.04.06
申请号 CN200980114505.8 申请日期 2009.05.12
申请人 美商豪威科技股份有限公司 发明人 H·E·罗兹
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 姬利永
主权项 一种图像传感器,包括:像素阵列,其使用衬底而形成,其中所述阵列中的每个所述像素包括:感光区域,其形成于所述衬底中;存储栅晶体管,其耦合至所述感光区域;转移栅晶体管,其耦合至所述存储栅;浮动扩散区域,其耦合至所述转移栅晶体管;放大器,其耦合至所述浮动扩散区域以放大所述浮动扩散区域的电压;以及全局性重置晶体管,其耦合至所述浮动扩散区域,其中所述全局性重置晶体管包括耦合成接收全局性重置信号以重置所述像素的栅极。
地址 美国加利福尼亚州