低粗糙度的光波导器件的制造方法

摘要

本发明提出一种低粗糙度的光波导器件的制造方法，用于在绝缘体上硅工艺中制作低粗糙度的光波导器件，绝缘体上硅依次包括衬底层、氧化掩埋层和顶层单晶硅。该制造方法包括以下步骤：在顶层单晶硅上沉积硬质掩模层；在硬质掩模层上涂覆光刻胶并曝光显影；刻蚀未被光刻胶覆盖的部分硬质掩模层至曝露出部分顶层单晶硅的一定厚度；去除残留光刻胶；氧化暴露出的顶层单晶硅，在顶层单晶硅上形成氧化层；以及湿法刻蚀掉氧化层至顶层单晶硅。本发明所提供的低粗糙度的光波导器件的制造方法，利用湿法刻蚀的方法重新刻蚀单晶硅顶层上的氧化层，使得刻蚀出的单晶硅顶层的粗糙度大大降低，从而减少光波导器件的光传播损耗。

主权项

一种低粗糙度的光波导器件的制造方法，用于在绝缘体上硅工艺中制作低粗糙度的光波导器件，所述绝缘体上硅依次包括衬底层、氧化掩埋层和顶层单晶硅，其特征是，所述制造方法包括以下步骤：在所述顶层单晶硅上沉积硬质掩模层；在所述硬质掩模层上涂覆光刻胶并曝光显影；刻蚀未被光刻胶覆盖的部分硬质掩模层至曝露出部分顶层单晶硅的一定厚度；去除残留光刻胶；氧化暴露出的所述顶层单晶硅，在所述顶层单晶硅上形成氧化层；以及湿法刻蚀掉所述氧化层至所述顶层单晶硅。