发明名称 | 一种生长硼酸铋晶体的工艺方法 | ||
摘要 | 一种生长硼酸铋晶体的工艺方法。传统的硼酸铋晶体生长方法在生长过程中容易出现籽晶扭断及缺陷问题,本发明采用采用电阻式下降炉进行晶体生长。由于晶体是在整个坩埚里结晶,所以不存在籽晶扭断的问题。另外由于坩埚下降法可以通过改变坩埚下降速度来提供比较缓慢的生长速度,使得晶体在生长过程中不容易出现生长缺陷。 | ||
申请公布号 | CN102002752A | 申请公布日期 | 2011.04.06 |
申请号 | CN201010555014.1 | 申请日期 | 2010.11.22 |
申请人 | 福建福晶科技股份有限公司 | 发明人 | 陈伟;吴少凡;郑熠 |
分类号 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种生长硼酸铋晶体的工艺方法,其特征在于将原料混合均匀后熔融后装入坩埚中冷却,后放置于电阻式下降炉中进行晶体生长。 | ||
地址 | 350000 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号华晶楼 |